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半导体研究所 [111]
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OAI收割 [51]
内容类型
期刊论文 [111]
发表日期
2020 [1]
2019 [1]
2018 [1]
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共111条,第1-10条
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Two-Dimensional Apodized Grating Coupler for Polarization-Independent and Surface-Normal Optical Coupling
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 38, 期号: 15, 页码: 4037-4044
作者:
Zanyun Zhang
;
Xia Chen
;
Qian Cheng
;
Ali Z. Khokhar
;
Zan Zhang
;
Xingzhao Yan
;
Beiju Huang
;
Hongda Chen
;
Hongwei Liu
;
Hongqiang Li
;
David J. Thomson
;
Graham T. Reed
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提交时间:2021/06/28
Improving the performance of optical antenna for optical phased arrays through high- contrast grating structure on SOI substrate
期刊论文
OAI收割
Optics Express, 2019, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 2703-2712
作者:
P. F. WANG
;
G. Z. LUO
;
H. Y. YU
;
Y. J. LI
;
M. Q. WANG
;
X. L. ZHOU
;
W. X. CHEN
;
Y. J. ZHANG
;
, J. Q. PAN
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提交时间:2020/07/31
Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2018, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 060407
作者:
K. K. Meng
;
X. P. Zhao
;
P. F. Liu
;
Q. Liu
;
Y. Wu
;
Z. P. Li
;
J. K. Chen
;
J. Miao
;
X. G. Xu
;
J. H. Zhao
;
Y. Jiang
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提交时间:2019/11/12
Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes
期刊论文
OAI收割
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850
作者:
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
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提交时间:2018/11/30
Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region
期刊论文
OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602
作者:
J. YANG
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
X. LI
;
F. LIANG
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提交时间:2018/11/30
Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
OAI收割
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
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提交时间:2018/07/11
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
期刊论文
OAI收割
AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103
作者:
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
H. Long
;
M. Li
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提交时间:2018/07/11
Helicity-dependent photocurrent induced by the in-plane transverse electric current in an InAs quantum well
期刊论文
OAI收割
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 31189
J. B. Li
;
X. G. Wu
;
G. W. Wang
;
Y. Q. Xu
;
Z. C. Niu
;
X. H. Zhang
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提交时间:2017/03/16
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10