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• 半导体研究所 [59]

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• 期刊论文 [59]

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浏览/检索结果: 共59条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Piezoelectric Tunnel FET With a Steep Slope 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 卷号: 41, 期号: 6, 页码: 948-951 作者:  Yuxiong Long , Student Member,IEEE;   Jun Z. Huang;   Qianqian Huang,Member, IEEE;   Nuo Xu, Member, IEEE;   Xiangwei Jiang ,Member,IEEE;   Zhi-Chuan Niu ;   Ru Huang, Fellow, IEEE;   Shu-Shen Li   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/06/17 Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2018, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 060407 作者:  K. K. Meng;   X. P. Zhao;   P. F. Liu;   Q. Liu;   Y. Wu;   Z. P. Li;   J. K. Chen;   J. Miao;   X. G. Xu;   J. H. Zhao;   Y. Jiang   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/12 Probing the semiconductor to semimetal transition in InAs/GaSb double quantum wells by magneto-infrared spectroscopy 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: 045116 作者:  Y. Jiang;  S. Thapa;  G. D. Sanders;  C. J. Stanton;  Q. Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/06/01 Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850 作者:  J. Yang;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  P. Chen;  J. J. Zhu   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/30 Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602 作者:  J. YANG;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  X. LI;  F. LIANG   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/11/30 Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold 期刊论文  OAI收割 Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466 作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/11 Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103 作者:  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  H. Long;  M. Li 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/07/11 XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文  OAI收割 surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/10 The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割 aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124 P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; J. Yang; X. Li; L. C. Le; X. G. He; W. Liu; X. J. Li; F. Liang; B. S. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 Polarization-independent plasmonic subtractive color filtering in ultrathin Ag nanodisks with high transmission 期刊论文  OAI收割 applied optics, 2016, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 148-152 X. L. HU; L. B. SUN; BEIBEI ZENG; L. S. WANG; Z. G. YU; S. A. BAI; S. M. YANG; L. X. ZHAO; Q. LI; M. QIU; R. Z. TAI; H. J. FECHT; J. Z. JIANG; D. X. ZHANG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/16