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  • 1994 [10]
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低抵抗n—型硫化亜鉛薄膜の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994097651B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:  伊藤 直行;  下林 隆;  水本 照之;  岡本 則久
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Semiconductor laser including an aluminum-rich AlGaAs etch stopping layer 专利  OAI收割
专利号: US5357535, 申请日期: 1994-10-18, 公开日期: 1994-10-18
作者:  SHIMA, AKIHIRO;  MIURA, TAKESHI;  KADOWAKI, TOMOKO;  HAYAFUJI, NORIO
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半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994080858B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12
作者:  岡村 茂;  田口 孝雄;  和田 修
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Semiconductor laser with improved oscillation wavelength reproducibility 专利  OAI收割
专利号: US5345463, 申请日期: 1994-09-06, 公开日期: 1994-09-06
作者:  MANNOH, MASAYA;  OHNAKA, KIYOSHI
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分布帰還型半導体レ-ザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1994066509B2, 申请日期: 1994-08-24, 公开日期: 1994-08-24
作者:  茅根 直樹;  辻 伸二;  藤崎 芳久;  柏田 泰利;  平尾 元尚
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1994054821B2, 申请日期: 1994-07-20, 公开日期: 1994-07-20
作者:  日野 功
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半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994034427B2, 申请日期: 1994-05-02, 公开日期: 1994-05-02
作者:  藤井 宏明
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SIMULTANEOUS HYDROTHERMAL DECOMPOSITION AND DERIVATIZATIONS - GAS-CHROMATOGRAPHY MASS-SPECTROMETRY FOR THE CHARACTERIZATION OF POLYAMIDES 期刊论文  OAI收割
ANALYTICAL SCIENCES, 1994, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 271-276
作者:  ONISHI, A;  UCHINO, S;  OGURI, N;  JIN, XG
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光電子集積回路の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994012809B2, 申请日期: 1994-02-16, 公开日期: 1994-02-16
作者:  寺門 知二
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FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF TIPS FOR ELECTROCHEMICAL SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY 期刊论文  OAI收割
electroanalysis, 1994, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 672-676
CHEN ZF; WANG EK
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