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• 半导体研究所 [44]

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• 会议论文 [3]

发表日期

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学科主题

• 半导体材料 [44]

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浏览/检索结果: 共44条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Subset geometric phase analysis method for deformation evaluation of HRTEM images 期刊论文  OAI收割 ultramicroscopy, 2016, 卷号: 171, 页码: 34-42 Hongye Zhang; Zhanwei Liu; Huihui Wen; Huimin Xie; Chao Liu 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/10 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   Growth Simulations of Self-Assembled Nanowires on Stepped Substrates 期刊论文  OAI收割 ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965 Liang S; Kong DH; Zhu HL; Wang W 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/02/06 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM DOTS  SURFACE MIGRATION  FABRICATION  GAAS(100)  ISLANDS  WIRES   GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer 期刊论文  OAI收割 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI(001) SUBSTRATE  STRAIN  EPITAXY   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：80/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS   Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Kong DH (Kong D. H.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INAS QUANTUM DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  SURFACES  ISLANDS  GROWTH  FABRICATION  MIGRATION  ARRAYS   Growth behavior of AlInGaN films 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：216/66  |  提交时间：2010/03/08 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  AlInGaN   Enhancement of the light output power of InGaN/GaN light-emitting diodes grown on pyramidal patterned sapphire substrates in the micro- and nanoscale 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 1, 页码: art. no. 014314 Gao, HY; Yan, FW; Zhang, Y; Li, JM; Zeng, YP; Wang, GH 收藏  |  浏览/下载：75/3  |  提交时间：2010/03/08 GAN-BASED LEDS  EFFICIENCY  FABRICATION  IMPROVEMENT  OVERGROWTH   Fracture Properties of LPCVD Silicon Nitride and Thermally Grown Silicon Oxide Thin Films From the Load-Deflection of Long Si3N4 and SiO2/Si3N4 Diaphragms 期刊论文  OAI收割 journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1120-1134 Yang, JL; Gaspar, J; Paul, O 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/03/08 Bulge test  fracture  pooled Weibull analysis  silicon nitride (Si3N4)  silicon oxide (SiO2)