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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Configuration of the active region for the Ge-on-Si photodetector based on carrier mobility 期刊论文  OAI收割 FRONTIERS IN PHYSICS, 2023, 卷号: 11 作者:  Chang, Chang;  Xie, Xiaoping;  Li, Tiantian;  Cui, Jishi   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2023/08/01 silicon photonics  Ge-on-Si photodetector  PIN junction  carrier mobility  bandwidth  responsivity   A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2022, 卷号: 308, 期号: 4 作者:  Y. R. Chen;  Z. W. Zhang;  G. Q. Miao;  H. Jiang and H. Song   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2022/06/13 Design of near-Infrared reconfigurable metalens on Silicon-On-Insulator (SOI) platform with FabryPerrot phase shifter 期刊论文  OAI收割 Optics Communications, 2019, 卷号: 446, 页码: 56-63 作者:  R.-Q.Gao;  Q.Song;  H.Liu;  J.-B.Gao;  X.-Y.Wang   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/08/24 Infrared devices,Efficiency,Fluorescence microscopy,Lenses,Metals,Optical radar   Silicon carbide PIN diode detectors used in harsh neutron irradiation 期刊论文  OAI收割 SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, 2018, 卷号: 280, 页码: 245-251 作者:  Jin, P;  Liu, LY;  Li, FP;  Bai, S;  Cao, XZ   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/09/24 Silicon carbide  Neutron detector  Performance degradation  Irradiation defect   防松机械臂连接结构 专利  OAI收割 专利类型: 实用新型, 专利号: CN204149170U, 申请日期: 2015-02-11, 公开日期: 2015-02-11 作者:  冷雨泉;  何旭;  张阳;  刘玉旺;  陈正仓 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2015/07/01 The temperature-dependent photoresponse uniformity of an InGaAs subpixels infrared detector by the LBIC technique 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 27, 期号: 11 作者:  Deng, HH;  Tang, HJ;  Li, T;  Li, X;  Wei, P   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/18 涂胶自动翻转机 专利  OAI收割 专利类型: 实用新型, 专利号: CN201320526Y, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 2009-10-07 作者:  朱军;  于龙会 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2013/10/15 Semiconductor optical device and manufacturing method thereof 专利  OAI收割 专利号: US7577319, 申请日期: 2009-08-18, 公开日期: 2009-08-18 作者:  MAKINO, SHIGEKI;  SHINODA, KAZUNORI;  KITATANI, TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Advances in high power semiconductor diode lasers - art. no. 682402 会议论文  OAI收割 conference on semiconductor lasers and applications iii, beijing, peoples r china, nov 12-13, 2007 Ma, XY; Zhong, L 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/09 laser diodes  laser bar  stacks  high power  power conversion efficiency  reliability  packaging   Fabrication of ge nano-dot heterojunction phototransistors for improved light detection at 1.55 mu m 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 735-737 作者:  Shi, WH;  Mao, RW;  Zhao, L;  Luo, LP;  Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12