机构

• 微电子研究所 [2]
• 上海应用物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2016 [2]
• 2013 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs 期刊论文  OAI收割 ECS Transactions, 2016 作者:  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Qin ZL(秦长亮);  Cui HS(崔虎山)   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/05/09 Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 49-54 作者:  Wang, GL;  Qin, CL;  Yin, HX;  Luo, J;  Duan, NY 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2017/03/02 FinFET  SiGe selective epitaxy  RPCVD  High-k & metal gate   Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2013 作者:  M.Kolahdouz;  Wang GL(王桂磊);  M.Moeen;  A.Abedin;  Luo J(罗军)   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/10/30