机构

• 上海微系统与信息技术... [3]
• 合肥物质科学研究院 [3]
• 上海应用物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2016 [1]
• 2012 [3]
• 1989 [3]

学科主题

• Science & ... [2]
• 纳米科技与材料物理:... [2]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 49-54 作者:  Wang, GL;  Qin, CL;  Yin, HX;  Luo, J;  Duan, NY 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2017/03/02 FinFET  SiGe selective epitaxy  RPCVD  High-k & metal gate   SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究 期刊论文  OAI收割 材料导报, 2012, 期号: 14, 页码: 22-24+32 陈达; 刘林杰; 薛忠营; 刘肃; 贾晓云 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/02/22 薄膜  减压化学气相沉积  硅锗  负载影响   Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD 期刊论文  OAI收割 CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 15, 页码: 1862-1867 Xue, ZY; Chen, D; Liu, LJ; Jiang, HT; Bian, JT; Wei, X; Di, ZF; Zhang, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2013/04/17 SiGe  epitaxial growth  growth rate  Ge content   Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD 期刊论文  OAI收割 CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 15, 页码: 1862-1867 Xue, ZY; Chen, D; Liu, LJ; Jiang, HT; Bian, JT; Wei, X; di, zf(重点实验室）; Zhang, M（重点实验室）; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/05/10 Multidisciplinary Sciences   RPCVD SnO_2薄膜气敏元件初探 期刊论文  OAI收割 仪器仪表学报, 1989, 卷号: 10, 期号: 2 作者:  李民强 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2009/10/19 RPCVD SnO_2薄膜气敏元件初探 期刊论文  OAI收割 仪器仪表学报, 1989, 卷号: 10, 期号: 2 作者:  张耀华;  李宁;  李民强   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2009/10/19