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浏览/检索结果: 共70条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2018 作者:  Li YL(李永亮);  Wang WW(王文武);  Xu QX(徐秋霞)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/05 Dry Etching of Metal Inserted Poly-Si Stack for Dual High-k and Dual Metal Gate Integration 期刊论文  OAI收割 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018 作者:  Wang WW(王文武);  jing Zhang;  Xu QX(徐秋霞);  Li YL(李永亮)   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/05 Performance Enhancement for Charge Trapping Memory by Using Al2O3/HfO2/Al2O3 Tri-Layer High-k Dielectrics and High Work Function Metal Gate 期刊论文  OAI收割 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018 作者:  Hou CZ(侯朝昭);  Wu ZH(吴振华);  Yin HX(殷华湘)   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/05 Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9 作者:  Jiang, Shanshan;  He, Gang;  Liu, Mao;  Zhu, Li;  Liang, Shuang   |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/06/10 electrical properties  forming gas annealing  high-k gate dielectrics  interface chemistry  metal-oxide-semiconductor capacitors   半导体器件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: US9899270, 申请日期: 2018-02-20, 公开日期: 2014-06-05 作者:  徐秋霞;  朱慧珑;  许高博;  周华杰;  梁擎擎   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/27 Interface quality modulation, band alignment modification and optimization of electrical properties of HfGdO/Ge gate stacks by nitrogen incorporation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 695, 期号: 无, 页码: 2199-2206 作者:  Gao, J.;  He, G.;  Fang, Z. B.;  Lv, J. G.;  Liu, M. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/07/04 High-k Gate Dielectrics  Interface Quality  Band Alignment  Electrical Properties  Leakage Current Mechanism   High-Mobility P-Type MOSFETs with Integrated Strained-Si0.73Ge0.27 Channels and High-k/Metal Gates 期刊论文  OAI收割 CHIN. PHYS. LETT., 2016 作者:  Mao SJ(毛淑娟);  Zhu ZY(朱正勇);  Wang GL(王桂磊);  Zhu HL(朱慧珑);  Li JF(李俊峰)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/09 Modification of band alignments and optimization of electrical properties of InGaZnO MOS capacitors with high-k HfOxNy gate dielectrics 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 期号: 无, 页码: 115-121 作者:  Zheng, C. Y.;  He, G.;  Chen, X. F.;  Liu, M.;  Lv, J. G. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/10/18 Band Offset  Hfo2/ingazno4 Heterojunctions  X-ray Photoelectron Spectroscopy  Thin Film Transistors  Electrical Properties  Mos Capacitor   Process optimizations to recessed e-SiGe source/drain for performance enhancement in 22nm all-last high-k/metal-gate pMOSFETs 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2016 作者:  Qin ZL(秦长亮)   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/09 Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier 会议论文  OAI收割 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Tang ZY(唐兆云);  Zhang Y(张瑜);  Zou XQ(邹兴奇);  Chen GX(陈国星)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/12