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采集方式

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内容类型

• 期刊论文 [18]
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发表日期

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• 2016 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [5]
• 半导体物理 [3]
• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structural stability and electronic properties of the (0001) inversion domain boundary in III-nitrides 期刊论文  OAI收割 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 154, 页码: 152-158 作者:  Li, Siqian;  Lei, Huaping;  Anglade, Pierre-Matthieu;  Chen, Jun;  Ruterana, Pierre   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/20 Inversion domain boundary (IDB)  Group III-nitrides  DFT  Chemical bonding  Electronic structure   Lattice-Polarity-Driven Epitaxy of Hexagonal Semiconductor Nanowires 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2016, 卷号: 16, 期号: 2 作者:  Wang, P;  Yuan, Y;  Zhao, C;  Wang, XQ;  Zheng, XT 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11 MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603 作者:  Song HP 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  NITRIDE NANOTUBES  GAN  EMISSION  MECHANISM   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：32/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   InN layers grown by MOCVD on SrTiO3 substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 312 (3): jan 15 2010, 2010, 卷号: 312, 期号: 3, 页码: 373-377 作者:  Jia CH;  Zhou XL 收藏  |  浏览/下载：116/26  |  提交时间：2010/04/13 TiO3  Growth behavior  MOCVD  InN 了CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  PRESSURE   Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 2 作者:  Yang H(杨辉);  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/01/15 Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301 作者:  Jin P;  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：310/47  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  II-VI semiconductors  indium compounds  interface states  polarisation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra  zinc compounds   Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102 作者:  Jiang DS;  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES  FUNDAMENTAL-BAND GAP  NANOWIRES  HETEROSTRUCTURES  NANOSTRUCTURES  MOCVD  POLAR