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浏览/检索结果: 共40条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6 作者:  Gao, J.;  Zhang, Q.;  Xi, K.;  Li, B.;  Wang, C.   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2022/01/24 SEE  SEU  SOI SRAM  C   Proton and light ions induced SEU effect in a SOI SRAM with gold plated lid 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 5 作者:  Gao, J.;  Zhang, Q.;  Li, B.;  Xi, K.;  Li, B.   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2022/01/19 SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现 期刊论文  OAI收割 宇航学报, 2018, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 20-26 作者:  刘海南;  韩郑生;  邢龙;  孟祥鹤;  高见头   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/03/28 Back gate impact on SEU Characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM 会议论文  OAI收割 作者:  Gao JT(高见头);  Li BH(李彬鸿);  Huang Y(黄杨)   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/09 A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文  OAI收割 作者:  Yan, Weiwei;  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/08/20 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator   A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 437-442 作者:  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi;  Khan, Maaz   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/05/31 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator   Impact of energy straggle on proton-induced single event upset test in a 65-nm SRAM cell 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 页码: 6 作者:  Ye, Bing;  Liu, Jie;  Wang, Tie-Shan;  Liu, Tian-Qi;  Luo, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/05/31 single event upset  energy straggle  proton irradiation  nanodevice   Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/12/05 Silicon-on-insulator  Total Ionizing Dose  Static Random Access Memory  Static Noise Margin   Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang HY(张宏远);  Wang LF(王林飞);  Liu HN(刘海南);  Chen LK(陈丽坤);  Zhou YL(周月琳)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/19