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半导体研究所 [21]
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OAI收割 [21]
内容类型
期刊论文 [17]
会议论文 [4]
发表日期
2009 [1]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体物理 [21]
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共21条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59
作者:
Zhang ML
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  |  
High-density and narrow size-distribution InAs quantum dots formed by a modified two-step growth
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 323-327
She-Song, H
;
Zhi-Chuan, N
;
Feng, Z
;
Hai-Qiao, N
;
Huan, Z
;
Dong-Hai, W
;
Zheng, S
收藏
  |  
MOCVD growth of InN using a GaN buffer
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85
作者:
Yang H
;
Wang LL
;
Wang H
;
Yang H
;
Zhu JJ
收藏
  |  
1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz
期刊论文
OAI收割
solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
Wang XL
;
Cheng TS
;
Ma ZY
;
Hu G
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Luo WJ
收藏
  |  
1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
OAI收割
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
收藏
  |  
The compact microcrystalline Si thin film with structure uniformity in the growth direction by hydrogen dilution profile
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 9, 页码: art.no.093505
Gu J
;
Zhu MF
;
Wang LJ
;
Liu FZ
;
Zhou BQ
;
Zhou YQ
;
Ding K
;
Li GH
收藏
  |  
Silicon doping induced increment of quantum dot density
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318
作者:
Duan RF
收藏
  |  
Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 20, 页码: 3769-3771
作者:
Xu B
收藏
  |  
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon
期刊论文
OAI收割
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305
Tan LW
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Lin LY
收藏
  |  
Deep levels in semi-insulating InP obtained by annealing under iron phosphide ambiance
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: 1968-1970
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
收藏
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