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半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2006 [1]
2005 [1]
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
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Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
会议论文
OAI收割
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
Zhao, YW (Zhao, Y. W.)
;
Dong, ZY (Dong, Z. Y.)
;
Deng, AH (Deng, A. H.)
收藏
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浏览/下载:158/28
  |  
提交时间:2010/03/29
indium phosphide
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
OAI收割
17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005
Zhao, YW
;
Dong, ZY
收藏
  |  
浏览/下载:220/68
  |  
提交时间:2010/03/29
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
DEEP-LEVEL DEFECTS
ANNEALING AMBIENT
POINT-DEFECTS
FE
PHOSPHIDE
DONORS
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
OAI收割
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
FE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE