机构

• 半导体研究所 [10]
• 金属研究所 [4]
• 古脊椎动物与古人类研... [2]

采集方式

• OAI收割 [12]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [13]
• 会议论文 [2]
• 项目 [1]

发表日期

• 2020 [2]
• 2004 [3]
• 2003 [3]
• 2002 [8]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Inner ear sensory system changes as extinct crocodylomorphs transitioned from land to water 期刊论文  OAI收割 PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA, 2020, 卷号: 117, 期号: 19, 页码: 10422-10428 作者:  Schwab, Julia A.;  Young, Mark T.;  Neenan, James M.;  Walsh, Stig A.;  Witmer, Lawrence M.   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/09/15 bony labyrinth  vestibular system  morphology  thalattosuchia  CT scanning   ANPCyT[PICTs 2016-0267] 项目  OAI收割 项目编号: PICTs 2016-0267, 资助机构: ANPCyT, 2020- -   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/09/15 Annealing ambient controlled deep defect formation in inp 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2004, 卷号: 27, 期号: 1-3, 页码: 167-169 作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 会议论文  OAI收割 10th international conference on defects - recognition, imaging and physics in semiconductors (drip 10), batz sur mer, france, sep 29-oct 02, 2003 Zhao YW; Dong ZY; Duan ML; Sun WR; Zeng YP; Sun NF; Sun TN 收藏  |  浏览/下载：20/1  |  提交时间：2010/10/29 FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  POINT-DEFECTS  PRESSURE  WAFERS  TRAPS   Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 期刊论文  OAI收割 european physical journal-applied physics, 2004, 卷号: 27, 期号: 1-3, 页码: 167-169 Zhao, YW; Dong, ZY; Duan, ML; Sun, WR; Zeng, YP; Sun, NF; Sun, TN 收藏  |  浏览/下载：360/63  |  提交时间：2010/03/09 FE-DOPED INP   Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in inp 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 作者:  Deng, AH;  Mascher, P;  Zhao, YW;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 作者:  Deng, AH;  Mascher, P;  Zhao, YW;  Lin, LY   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/02/02 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 Deng AH; Mascher P; Zhao YW; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 UNDOPED SEMIINSULATING INP  LOW FE CONTENT  POSITRON-LIFETIME  PHASE EPITAXY  PRESSURE  VACANCY  INDIUM  ANNIHILATION  PHOSPHIDE  WAFERS   Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating inp wafers 期刊论文  iSwitch采集 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524 作者:  Zhao, YW;  Sun, NF;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Semi-insulating  Annealing  Picts  Photoluminescence   Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524 作者:  Zhao, YW;  Sun, NF;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/02/02 indium phosphide  semi-insulating  annealing  PICTS  photoluminescence