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• 半导体研究所 [87]

采集方式

• OAI收割 [78]
• iSwitch采集 [9]

内容类型

• 期刊论文 [80]
• 会议论文 [7]

发表日期

• 2011 [2]
• 2010 [3]
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学科主题

• 半导体物理 [51]
• 半导体材料 [22]
• 光电子学 [4]
• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共87条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of built-in electric field in photovoltaic inas quantum dot embedded gaas solar cell 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341 作者:  Shang, X. J.;  He, J. F.;  Wang, H. L.;  Li, M. F.;  Zhu, Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 2011, 卷号: 103, 103, 期号: 2, 页码: 335-341, 335-341 作者:  Shang XJ;  He JF;  Wang HL;  Li MF;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：40/1  |  提交时间：2011/07/05 INTERMEDIATE-BAND  TRANSITIONS  Intermediate-band  Transitions   Hydride vapor phase epitaxy growth of semipolar, 10(1)over-bar(3)over-bargan on patterned m-plane sapphire 期刊论文  iSwitch采集 Journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: H721-h726 作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Yang, J. K. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Crystal orientation  Etching  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Photoluminescence  Red shift  Scanning electron microscopy  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor thin films  Vapour phase epitaxial growth  X-ray diffraction   Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：58/1  |  提交时间：2011/07/05 BAND-GAP  INDIUM NITRIDE  TRANSPORT  EMISSION   Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire 期刊论文  OAI收割 journal of the electrochemical society, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 2010, 卷号: 157, 157, 期号: 7, 页码: h721-h726, H721-H726 作者:  Wei TB (Wei T. B.);  Hu Q (Hu Q.);  Duan RF (Duan R. F.);  Wei XC (Wei X. C.);  Yang JK (Yang J. K.)   |  收藏  |  浏览/下载：292/52  |  提交时间：2010/06/18 atomic force microscopy  Atomic Force Microscopy   Energy levels of hydrogenic impurities in inas quantum ring 期刊论文  iSwitch采集 Spectroscopy and spectral analysis, 2009, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 607-610 作者:  Zheng Wen-li;  Li Zhi-wen;  Wang Xue-feng 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Effective mass  Binding energies  Perturbation method  Quantum ring   Structure, magnetization, and low-temperature spin dynamic behavior of zincblende Mn-rich Mn(Ga)As nanoclusters embedded in GaAs 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 5, 页码: art. no. 053912 Wang WZ; Deng JJ; Lu J; Sun BQ; Wu XG; Zhao JH 收藏  |  浏览/下载：213/74  |  提交时间：2010/03/08 annealing  Curie temperature  ferromagnetic materials  gallium arsenide  III-V semiconductors  magnetic susceptibility  magnetisation  manganese compounds  nanofabrication  nanostructured materials  RKKY interaction  semiconductor thin films  semimagnetic semiconductors  spin dynamics   Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009) 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: art. no. 129901 作者:  Wei HY;  Song HP;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：379/108  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  core levels  III-V semiconductors  magnesium compounds  semiconductor heterojunctions  semiconductor-insulator boundaries  X-ray photoelectron spectra   Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712 作者:  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/04 aluminium compounds  effective mass  gallium arsenide  III-V semiconductors  SCF calculations  semiconductor quantum wires  spectral line shift  EXCHANGE INTERACTION  ENERGY  STATES  ABSORPTION  NANOWIRES  ELECTRONS  SUBBANDS  WELLS  FIELD   Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds