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• 半导体研究所 [187]

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学科主题

• 半导体材料 [187]

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浏览/检索结果: 共187条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Structural anisotropy results in strain-tunable electronic and optical properties in monolayer GeX and SnX (X = S, Se, Te) 期刊论文  OAI收割 the journal of chemical physics, 2016, 卷号: 144, 期号: 11, 页码: 114708 Le Huang; Fugen Wu; Jingbo Li 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/03/10 Structural and optical properties of InAs/InAsSb superlattices grown by metal organic chemical vapor deposition for mid-wavelength infrared photodetectors 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2016, 卷号: 368, 页码: 110–113 Zhen-Dong Ning; Shu-Man Liu; Shuai Luo; Fei Ren; Fengjiao Wang; Tao Yang; Feng-Qi Liu; Zhan-Guo Wang; Lian-Cheng Zhao 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/10 Humidity sensing properties of FeCl3-NH2-MIL-125(Ti) composites 期刊论文  OAI收割 sensors and actuators b-chemical, 2014, 卷号: 201, 页码: 281-285 Zhang, Y; Fu, B; Liu, KX; Zhang, YP; Li, X; Wen, SP; Chen, Y; Ruan, SP 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/03/20 Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文  OAI收割 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Effect of gas pressure on the properties of silicon thin film 期刊论文  OAI收割 gongneng cailiao/journal of functional materials, 2011, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 1489-1491 Hao, Hui-Ying; Li, Wei-Min; Zeng, Xiang-Bo; Kong, Guang-Lin; Liao, Xian-Bo 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2012/06/14 Amorphous films  Chemical vapor deposition  Deposition  Microcrystalline silicon  Microstructure  Photoelectricity  Plasma deposition  Plasma enhanced chemical vapor deposition  Pressure effects  Semiconducting silicon compounds  Transport properties   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:   收藏  |  浏览/下载：63/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：56/3  |  提交时间：2011/07/05 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials  VAPOR-PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  ZNO NANORODS  RAMAN-SCATTERING  M-PLANE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  NANOWIRES  FIELDS   Wurtzite to zincblende transition of InN films on(011) SrTiO3 by decreasing trimethylindium flows 期刊论文  OAI收割 applied physics a: materials science and processing, 2011, 页码: 1-5 Jia, C.H.; Chen, Y.H.; Zhang, B.; Liu, X.L.; Yang, S.Y.; Zhang, W.F.; Wang, Z.G. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/06/14 Absorption  Absorption spectroscopy  Crystal atomic structure  Epitaxial growth  Metallorganic chemical vapor deposition  Optical properties  Organic chemicals  Strontium alloys  Strontium titanates  X ray diffraction  Zinc sulfide