机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2010 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [6]

学科主题

• 光电子学 [3]
• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：60/2  |  提交时间：2010/08/17 Gallium Nitride  Indium Gallium Nitride  Cathodeluminescence  X-ray Diffraction  Metal-Organic Chemical Vapor Deposition   Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   Al compositional inhomogeneity of algan epilayer with a high al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: 6 作者:  Wang, X. L.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Yang, H.;  Liang, J. W. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 The effects of lt aln buffer thickness on the optical properties of algan grown by mocvd and al composition inhomogeneity analysis 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1113-1117 作者:  Wang, X. L.;  Zhao, D. G.;  Jahn, U.;  Ploog, K.;  Jiang, D. S. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 The effects of LT AlN buffer thickness on the optical properties of AlGaN grown by MOCVD and Al composition inhomogeneity analysis 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1113-1117 Wang, XL (Wang, X. L.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, K (Ploog, K.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Yang, H (Yang, H.); Liang, JW (Liang, J. W.) 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/03/29 PHOTODIODES   Depth dependence of structural quality in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519 作者:  Wang H;  Wang YT;  Wang LL;  Yang H;  Wang H 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/29 X-ray diffraction   Depth dependence of structural quality in inn grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519 作者:  Wang, H.;  Huang, Y.;  Sun, Q.;  Chen, J.;  Zhu, J. J. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Rutherford backscattering  Metalorganic chemical vapor deposition  Inn   Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: art.no.176005 作者:  Yang H;  Yang H;  Zhao DG;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/29 SAPPHIRE