机构

• 半导体研究所 [30]

采集方式

• OAI收割 [18]
• iSwitch采集 [12]

内容类型

• 期刊论文 [29]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [3]
• 2008 [4]
• 2007 [2]
• 2002 [2]
• 2001 [1]
• 2000 [7]
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学科主题

• 半导体物理 [9]
• 半导体材料 [5]
• 光电子学 [4]

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浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Optically induced current oscillation in a modulation-doped field-effect transistor embedded with inas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 44, 期号: 3, 页码: 686-689 作者:  Li, Y. Q.;  Wang, X. D.;  Xu, X. N.;  Liu, W.;  Yang, F. H. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Modulation-doped  Field-effect transistors  Output characteristics   Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type gan 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Hou, Qifeng;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104 作者:  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：46/5  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM-WELL-STRUCTURE  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE  YELLOW LUMINESCENCE  DEEP LEVELS  TRAP  PERFORMANCE  FREQUENCY  EPILAYERS  ORIGIN  DIODES   Numerical analysis of gain saturation, noise figure, and carrier distribution for quantum-dot semiconductor-optical amplifiers 期刊论文  iSwitch采集 Ieee journal of quantum electronics, 2008, 卷号: 44, 期号: 5-6, 页码: 448-455 作者:  Xiao, Jin-Long;  Huang, Yong-Zhen 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gain  Noise  Quantum dots (qds)  Semiconductor-optical amplifiers (soas)   Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped inas/gaas quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: 8 作者:  Liu, Hai-Ying;  Meng, Zi-Ming 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121 Liu, HY; Meng, ZM; Dai, QF; Wu, LJ; Guo, Q; Hu, W; Liu, SH; Lan, S; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2010/03/08 ENERGY RELAXATION  ELECTRON RELAXATION  CAPTURE  PHONON  INAS  GAAS  TEMPERATURE  DEPENDENCE  DENSITY  TIME   Numerical analysis of gain saturation, noise figure, and carrier distribution for quantum-dot semiconductor-optical amplifiers 期刊论文  OAI收割 ieee journal of quantum electronics, 2008, 卷号: 44, 期号: 39939, 页码: 448-455 Xiao, JL; Huang, YZ 收藏  |  浏览/下载：37/1  |  提交时间：2010/03/08 gain  noise  quantum dots (QDs)  semiconductor-optical amplifiers (SOAs)   Effect of electron-hole spatial correlation on spin relaxation dynamics in inas submonolayer 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2007, 卷号: 143, 期号: 3, 页码: 158-160 作者:  Sun, Zheng;  Xu, Z. Y.;  Ruan, X. Z.;  Ji, Yang;  Sun, B. Q. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Inassml  Spin relaxation  Trkr   Effect of electron-hole spatial correlation on spin relaxation dynamics in InAs submonolayer 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2007, 卷号: 143, 期号: 3, 页码: 158-160 Sun Z; Xu ZY; Ruan,XZ; Ji Y; Sun BQ; Wang M; Ni HQ 收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2010/03/29 InAsSML   Deep centers investigations of p-hemt functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by mbe 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 372-376 作者:  Lu, LW;  Zhang, YH;  Wang, J;  Ge, W 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy growth  P-hemt and hemt functional materials  Deep centers