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机构
半导体研究所 [30]
采集方式
OAI收割 [18]
iSwitch采集 [12]
内容类型
期刊论文 [29]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [3]
2008 [4]
2007 [2]
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2000 [7]
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学科主题
半导体物理 [9]
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光电子学 [4]
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共30条,第1-10条
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专题:半导体研究所
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Optically induced current oscillation in a modulation-doped field-effect transistor embedded with inas quantum dots
期刊论文
iSwitch采集
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 44, 期号: 3, 页码: 686-689
作者:
Li, Y. Q.
;
Wang, X. D.
;
Xu, X. N.
;
Liu, W.
;
Yang, F. H.
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提交时间:2019/05/12
Quantum dots
Modulation-doped
Field-effect transistors
Output characteristics
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type gan
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 3
作者:
Hou, Qifeng
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
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提交时间:2019/05/12
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104
作者:
Deng QW
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM-WELL-STRUCTURE
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE
YELLOW LUMINESCENCE
DEEP LEVELS
TRAP
PERFORMANCE
FREQUENCY
EPILAYERS
ORIGIN
DIODES
Numerical analysis of gain saturation, noise figure, and carrier distribution for quantum-dot semiconductor-optical amplifiers
期刊论文
iSwitch采集
Ieee journal of quantum electronics, 2008, 卷号: 44, 期号: 5-6, 页码: 448-455
作者:
Xiao, Jin-Long
;
Huang, Yong-Zhen
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提交时间:2019/05/12
Gain
Noise
Quantum dots (qds)
Semiconductor-optical amplifiers (soas)
Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped inas/gaas quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: 8
作者:
Liu, Hai-Ying
;
Meng, Zi-Ming
;
Dai, Qiao-Feng
;
Wu, Li-Jun
;
Guo, Qi
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提交时间:2019/05/12
Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121
Liu, HY
;
Meng, ZM
;
Dai, QF
;
Wu, LJ
;
Guo, Q
;
Hu, W
;
Liu, SH
;
Lan, S
;
Yang, T
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2010/03/08
ENERGY RELAXATION
ELECTRON RELAXATION
CAPTURE
PHONON
INAS
GAAS
TEMPERATURE
DEPENDENCE
DENSITY
TIME
Numerical analysis of gain saturation, noise figure, and carrier distribution for quantum-dot semiconductor-optical amplifiers
期刊论文
OAI收割
ieee journal of quantum electronics, 2008, 卷号: 44, 期号: 39939, 页码: 448-455
Xiao, JL
;
Huang, YZ
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提交时间:2010/03/08
gain
noise
quantum dots (QDs)
semiconductor-optical amplifiers (SOAs)
Effect of electron-hole spatial correlation on spin relaxation dynamics in inas submonolayer
期刊论文
iSwitch采集
Solid state communications, 2007, 卷号: 143, 期号: 3, 页码: 158-160
作者:
Sun, Zheng
;
Xu, Z. Y.
;
Ruan, X. Z.
;
Ji, Yang
;
Sun, B. Q.
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提交时间:2019/05/12
Inassml
Spin relaxation
Trkr
Effect of electron-hole spatial correlation on spin relaxation dynamics in InAs submonolayer
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 2007, 卷号: 143, 期号: 3, 页码: 158-160
Sun Z
;
Xu ZY
;
Ruan,XZ
;
Ji Y
;
Sun BQ
;
Wang M
;
Ni HQ
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提交时间:2010/03/29
InAsSML
Deep centers investigations of p-hemt functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by mbe
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 372-376
作者:
Lu, LW
;
Zhang, YH
;
Wang, J
;
Ge, W
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy growth
P-hemt and hemt functional materials
Deep centers