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浏览/检索结果: 共155条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Raman spectroscopic determination of hole concentration in undoped GaAsBi 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 15008 作者:  Zhu Sixin;  Qiu Weiyang;  Wang Han;  Lin Tie;  Chen Pingping   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/11/13 GaAsBi  Raman spectroscopy  LO-phonon-plasmon-modes  Hole density  Hall measurements   一种GaAs基LFET THz红外光探测器和制备方法 专利  OAI收割 专利号: 201810090440.9, 申请日期: 2017-10-24, 公开日期: 2019-07-23 作者:  邓惠勇;  潘昌翊   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/11/09 Wide tunability and electron transfer in GaAs/AlGaAs quantum well photodetector by magnetic field 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 110, 期号: 19 作者:  Yu CH;  Zhang B;  Luo XD;  Lu W;  Shen XC   |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2018/11/20 STATES  SEMICONDUCTORS  SILICON  DONORS  LASER  SUPERLATTICES  SPECTROSCOPY  IMPURITIES  TRANSITION  GAAS   LPE growth and optical characteristics of GaAs1-xSbx epilayer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 463, 页码: 123-127 作者:  Wang Y;  Hu SH;  Zhou W;  Sun Y;  Zhang B   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/11/20 QUANTUM-WELLS  GAASSB  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  WAVELENGTH  DEPENDENCE  LAYERS   硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征 期刊论文  OAI收割 红外, 2017, 期号: 2, 页码: 1-6 作者:  孙常鸿;  张鹏;  张天宁;  陈鑫;  叶振华   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/11/20 原子层沉积  硫化锌  薄膜   两种液相外延模式生长GaAs0.9Sb0.1薄膜的性能 期刊论文  OAI收割 激光与光电子学进展, 2017, 期号: 11, 页码: 332-336 作者:  谢浩;  胡淑红;  王洋;  黄田田;  潘晓航   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/11/20 薄膜  液相外延  步冷法  超冷法  GaAs0.9Sb0.1薄膜   High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5 作者:  Xu ZC;  Chen JX;  Wang FF;  Zhou Y;  He L   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/11/20 InAs/GaAsSb superlattices  InAs substrates  strain balance  quantum efficiency  detectivity   ZnS thin films grown by atomic layer deposition on GaAs and HgCdTe substrates at very low temperature 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 85, 页码: 280-286 作者:  Sun CH;  Zhang P;  Zhang TN;  Chen X;  Chen YY   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/11/20 Atomic layer deposition  ZnS film  Low growth temperature   Microstructure characterization of lattice defects induced by As ion implantation in HgCdTe epilayers 会议论文  OAI收割 作者:  Shi CZ;  Lin C;  Wei YF;  Chen L   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/11/20 Towards flexible quantum well infrared photodetectors 会议论文  OAI收割 作者:  Li SL;  Wang H;  Zhen HL;  Mei YF;  Lu W   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/11/20