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机构
上海微系统与信息... [158]
采集方式
OAI收割 [158]
内容类型
期刊论文 [145]
学位论文 [13]
发表日期
2009 [5]
2008 [6]
2007 [8]
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共158条,第1-10条
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Influence of Si nanocrystal embedded in BOX on radiation and electrical properties of SOI wafer
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 257-260
Bi, DW
;
Zhang, ZX
;
Chen, M
;
Wu, AM
;
Wei, X
;
Wang, X
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提交时间:2013/04/17
SOI
Ion implantation
Si nanocrystal
Pseudo-MOS
Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270
Chen, M
;
Zhang, ZX
;
Wei, X
;
Bi, DW
;
Zou, SC
;
Wang, X
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/04/17
Silicon dioxide
Ion implantation
Total ionizing dose
Carrier transportation
Si基SOI结构微剂量探测器的设计及SOI材料的离子注入抗辐射改性研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2011
王茹
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2013/04/24
SOI
微剂量实验方法
微剂量仪
离子注入改性
灵敏体积
Thermal stability and interface improvement of thin NiSiGe by C
+
ion implantation
期刊论文
OAI收割
2011 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2011 Materials for Advanced Metallization, IITC/MAM 2011.2011 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2011 Materials for Advanced Metallization, IITC/MAM 2011, 2011, 期号: 0
Zhang, B
;
Yu, W
;
Zhao, QT
;
Buca, D
;
Hollä
;
nder, B
;
Hartmann, J.-M.
;
Zhang, M
;
Wang, X
;
Mantl, S.
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/08/28
Effect of annealing on structure and hardness of oxygen-implanted layer on Ti6Al4V by plasma-based ion implantation
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2010, 卷号: 268, 期号: 2, 页码: 135-139
Jinlong, L
;
Mingren, S
;
Xinxin, M
;
Li, XM
;
Zhenlun, S
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提交时间:2012/03/24
Instruments & Instrumentation
Physics
Physics
Nuclear Science & Technology
Atomic
Nuclear
Molecular & Chemical
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B
;
Wu, AM
;
Zhang, M
;
Wang, X
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903
Ou, X
;
Kogler, R
;
Mucklich, A
;
Skorupa, W
;
Moller, W
;
Wang, X
;
Vines, L
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
ION-IMPLANTATION
SOI MOSFETS
SILICON
SI
HELIUM
SEPARATION
DEFECTS
TEMPERATURE
HYDROGEN
BUBBLES
富硅二氧化硅总剂量辐射效应及其机理初探
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2009
陈明
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2012/03/06
离子注入
二氧化硅
总剂量效应
纳米晶体
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B(重点实验室)
;
Wu, AM
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/10
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4
Ou, X
;
Zhang, B(重点实验室)
;
Wu, AM(重点实验室)
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/10
Nuclear Science & Technology
Physics
Nuclear