机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2003 [1]
• 2002 [2]
• 2001 [3]
• 2000 [2]
• 1998 [3]

学科主题

• 半导体物理 [11]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 期刊论文  OAI收割 journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s713-s718 Wang X; Chen M; Chen J; Wang X; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 SOI  nanostructure  microelectronic materials   Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2002, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 492-495 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Chen CY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：102/13  |  提交时间：2010/08/12 polycrystalline silicon film  rapid thermal processing  microstructure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  PRESSURE  TRANSISTORS  CRYSTALLIZATION  GROWTH   ECR plasma in growth of cubic GaN by low pressure MOCVD 期刊论文  OAI收割 plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174 Gu B; Xu Y; Qin FW; Wang SS; Sui Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：78/7  |  提交时间：2010/08/12 ECR plasma  cubic GaN  low pressure MOCVD  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CYCLOTRON-RESONANCE PLASMA  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAAS  DIMETHYLHYDRAZINE   GaInNAs/GaAs multiple-quantum well resonant-cavity-enhanced photodetectors at 1.3 mu m 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1249-1251 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：103/13  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH  WAVELENGTH  GAAS   Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134 Xu XL; Liu HT; Shi CS; Zhao YW; Fung S; Beling CD 收藏  |  浏览/下载：126/15  |  提交时间：2010/08/12 LIGHT-EMITTING DIODES  GALLIUM NITRIDE  YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON  PHOTOLUMINESCENCE  EPILAYERS  VACANCIES  INTERFACE  MECHANISM  ENERGY   Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985 Liao MY; Qin FG; Zhang JH; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 BIAS-ENHANCED NUCLEATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BEAM DEPOSITION  MECHANISM  SILICON  SPECTROSCOPY   Effect of rapid thermal annealing on GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 9, 页码: 1280-1282 Pan Z; Li LH; Zhang W; Lin YW; Wu RH; Ge W 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LASER  OPERATION  GAAS   Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186-2190 Liao MY; Zhang JH; Qin FG; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous carbon  ion bombardment  mass-selected low energy ion beam  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BIAS-ENHANCED NUCLEATION  DIAMOND FILMS  RAMAN-SCATTERING  GROWTH  SILICON  MECHANISM   Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials 会议论文  OAI收割 14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 STRAIN RELAXATION  HETEROSTRUCTURES   Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials 期刊论文  OAI收割 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 93-96 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/08/12 gas source molecular beam epitaxy  thermal stability  Si1-xGex  HETEROSTRUCTURES  STRAIN RELAXATION