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机构
半导体研究所 [17]
采集方式
OAI收割 [17]
内容类型
期刊论文 [15]
会议论文 [2]
发表日期
2015 [1]
2011 [2]
2008 [1]
2006 [3]
2005 [1]
2004 [3]
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学科主题
半导体材料 [17]
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浏览/检索结果:
共17条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Quantitative characterization of phase separation in the photoactive layer of polymer solar cells by the phase image of atomic force microscopy
期刊论文
OAI收割
thin solid films, 2015, 卷号: 576, 页码: 81-87
H.L. Gao
;
X.W. Zhang
;
J.H. Meng
;
Z.G. Yin
;
L.Q. Zhang
;
J.L. Wu
;
X. Liu
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提交时间:2016/03/23
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320
作者:
Yang T
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浏览/下载:52/5
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提交时间:2011/07/05
PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION
INALAS
Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhang SM
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提交时间:2010/03/08
Cathodoluminescence
MOCVD
AlGaN
Shape and spatial correlation control of InAs-InAlAs-InP(001) nanostructure superlattices
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.063114
作者:
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
VERTICAL SELF-ORGANIZATION
QUANTUM WIRES
SURFACE
GROWTH
ALLOY
INALAS/INP(001)
NANOWIRES
INP(001)
ISLANDS
ARRAYS
Evolution of wetting layer in InAs/GaAs quantum dot system
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, 2006, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 79-83
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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提交时间:2010/04/11
quantum dots
wetting layer
reflectance difference spectroscopy
segregation
Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508
Zuo R (Zuo Ran)
;
Zhang H (Zhang Hong)
;
Liu XL (Liu Xiang-lin)
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/04/11
flow recirculation
numerical modeling
reactor
transport process
MOCVD
thin film growth
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
MOVPE REACTOR
GROWTH
DESIGN
GAN
Phase-separation suppression in GaN-rich side of GaNP alloys grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 1, 页码: 141-144
Chen DJ
;
Shen B
;
Bi ZX
;
Zhang KX
;
Gu SL
;
Zhang R
;
Shi, Y
;
Zheng YD
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
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浏览/下载:117/41
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Quantum-confined Stark effect and built-in dipole moment in self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 14, 页码: 2791-2793
作者:
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
;
Li CM
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浏览/下载:255/95
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提交时间:2010/03/09
ELECTRON-HOLE ALIGNMENT
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
OAI收割
10th international conference on defects - recognition, imaging and physics in semiconductors (drip 10), batz sur mer, france, sep 29-oct 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/10/29
SHORT-PERIOD SUPERLATTICES
RAMAN-SCATTERING
QUANTUM-WELLS
GROWTH
ROUGHNESS
SEGREGATION
ALAS/GAAS
ALAS
GAAS