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半导体研究所 [758]
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期刊论文 [716]
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共758条,第1-10条
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专题:半导体研究所
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Effect of Chloride Ion Concentrations on Luminescence Peak Blue Shift of Light-Emitting Diode Using Anti-Solvent Extraction of Quasi-Two-Dimensional Perovskite
期刊论文
OAI收割
TSINGHUA SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 496-504
作者:
Liu, Baoyu
;
Zou, Xiaoping
;
Chen, Dan
;
Liu, Taoran
;
Zuo, Yuhua
;
Zheng, Jun
;
Liu, Zhi
;
Cheng, Buwen
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提交时间:2022/04/28
Improvement of interface morphology and luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells by thermal annealing treatment
期刊论文
OAI收割
RESULTS IN PHYSICS, 2021, 卷号: 31, 页码: 105057
作者:
Hou, Yufei
;
Liang, Feng
;
Zhao, Degang
;
Liu, Zongshun
;
Chen, Ping
;
Yang, Jing
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提交时间:2022/03/23
Influence of low-temperature GaN-Cap layer thickness on the InGaN/GaN multiple quantum well structure and its luminescence
期刊论文
OAI收割
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2021, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 1411-1419
作者:
Zhao, Yuntao
;
Li, Guanghui
;
Zhang, Shuai
;
Liang, Feng
;
Zhou, Mei
;
Zhao, Degang
;
Jiang, Desheng
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提交时间:2022/07/15
Effect of different well growth rates on the luminescence characteristics of InGaN/GaN green quantum well
期刊论文
OAI收割
MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2021, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 46201
作者:
Zhao, Yuntao
;
Li, Guanghui
;
Zhang, Shuai
;
Yi, Linkai
;
Qi, Haoran
;
Liang, Feng
;
Yang, Jing
;
Zhou, Mei
;
Shen, Huixing
;
Zhao, Degang
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提交时间:2022/09/29
Transient behaviours of yellow and blue luminescence bands in unintentionally doped GaN
期刊论文
OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2021, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 3685-3693
作者:
Wang, Baibin
;
Liang, Feng
;
Zhao, Degang
;
Ben, Yuhao
;
Yang, Jing
;
Chen, Ping
;
Liu, Zongshun
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提交时间:2022/11/03
Room-temperature direct-bandgap electroluminescence from type-I GeSn/SiGeSn multiple quantum wells for 2 μm LEDs
期刊论文
OAI收割
Journal of Luminescence, 2020, 卷号: 228, 页码: 117539
作者:
Linzhi Peng
;
Xiuli Li
;
Jun Zheng
;
Xiangquan Liu
;
Mingming Li
;
Zhi Liu
;
Chunlai Xue
;
Yuhua Zuo
;
Buwen Cheng
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提交时间:2021/05/24
Investigation of excitonic recombination in single-crystal diamond with cathodoluminescence spectroscopy
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2020, 卷号: 226, 页码: 117428
作者:
Yanan Chen
;
Peng Jin
;
Guangdi Zhou
;
Mengyang Feng
;
Fangbin Fu
;
Ju Wu
;
Zhanguo Wang
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提交时间:2021/05/24
Comparative Study on the Luminescence Properties of Violet Light-Emitting InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Different Barrier Thickness
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 3877-3882
作者:
Wei Liu
;
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Jing Yang
;
Desheng Jiang
;
Jianjun Zhu
;
Zongshun Liu
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提交时间:2021/06/28
Influence of in doping in GaN barriers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well LEDs
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2018, 卷号: 114, 页码: 32-36
作者:
Xiaowei Wang
;
Jing Yang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Wei Liu
;
Feng Liang
;
Shuangtao Liu
;
Yao Xing
;
Wenjie Wang
;
Mo Li
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提交时间:2019/11/19
Role of Si and C Impurities in Yellow and Blue Luminescence of Unintentionally and Si-Doped GaN
期刊论文
OAI收割
Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2018, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 1026
作者:
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Ping Chen
;
Jing Yang
;
Shuangtao Liu
;
Yao Xing
;
Liqun Zhang
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提交时间:2019/11/19