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• 微电子研究所 [26]

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• OAI收割 [26]

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• 外文期刊 [26]

发表日期

• 2010 [4]
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浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Xu, QX;  Hu, AB   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Han, K;  Wang, WW;  Ma, XL;  Chen, DP;  Zhang, J   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/26 Work Function  Gate   Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Liu, XY;  Bai, Y;  Liu, J;  Ma, P;  Li, B   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26 N-type Gan  Electronic-properties  Oxide  Damage  Ingan  Algan   Titanium-tungsten nanocrystals embedded in a SiO2/Al2O3 gate dielectric stack for low-voltage operation in non-volatile memory 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Liu, M;  Long, SB;  Zhang, MH;  Wang, Q;  Yang, SQ   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets   Effect of Al-diffusion-induced positive flatband voltage shift on the electrical characteristics of Al-incorporated high-k metal-oxide-semiconductor field-effective transistor 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Toriumi, A;  Ota, H   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Technology   Characteristics of high-quality HfSiON gate dielectric prepared by physical vapour deposition 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Xu, QX;  Xu, GB   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Fabrication  Mosfets   Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, M;  Li, YT;  Zhang, S;  Liu, Q;  Long, SB   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Diodes  Films  Dependence  Resistance  Density  Zro2  Sio2   Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, M;  Zhang, S;  Guan, WH;  Liu, Q;  Wang, Q   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory Applications  Oxide-films  Resistance   Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, M;  Abid, Z;  Wang, W;  Liu, Q;  Guan, WH   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory  Resistance  Films