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半导体研究所 [14]
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OAI收割 [14]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2009 [2]
2006 [1]
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学科主题
半导体材料 [14]
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共14条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
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  |  
Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712
作者:
Song HP
;
Zhang B
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  |  
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
收藏
  |  
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
期刊论文
OAI收割
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
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  |  
Study of GaN thin films grown on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960
Lu LW
;
Yan H
;
Yang CL
;
Xie MH
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Ge WK
收藏
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Surface morphology of ion-beam deposited carbon films under high temperature
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 2002, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 2072-2074
Liao MY
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Qin FG
;
Wang ZG
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In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
OAI收割
international conference on silicon carbide and related materials, tsukuba, japan, oct 28-nov 02, 2001
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
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Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
;
Miao ZH
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Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197
作者:
Xu B
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