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• 半导体研究所 [30]

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• OAI收割 [30]

内容类型

• 期刊论文 [27]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2011 [2]
• 2009 [2]
• 2008 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [30]

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浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文  OAI收割 rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide  infrared transition  diffraction effect  dual ion beam sputtering  annealing   Properties investigation of GaN films implanted by Sm ions under different implantation and annealing conditions 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/07 GaN  Ferromagnetic  Implantation  Annealing   Strong room-temperature ferromagnetism in Cu-implanted nonpolar GaN films 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113921 Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2010/04/03 annealing   Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：180/35  |  提交时间：2010/03/08 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  InGaAs  GaInNAs   The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition 期刊论文  OAI收割 vacuum, 2008, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 495-500 Zhu, BL; Sun, XH; Zha, XZ; Su, FH; Li, GH; Wu, XG; Wu, J; Wu, R; Liu, J 收藏  |  浏览/下载：46/1  |  提交时间：2010/03/08 PLD  ZnO films  substrate temperature  crystal quality  grain size  optical properties   ZnO thin films on Si(111) grown by pulsed laser deposition from metallic Zn target 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 841-845 Zhao J (Zhao Jie); Hu LZ (Hu Lizhong); Wang ZY (Wang Zhaoyang); Sun J (Sun Jie); Wang ZJ (Wang Zhijun) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 ZnO  pulsed laser deposition  oxygen pressure  annealing  X-ray diffraction  photoluminescence  ULTRAVIOLET EMISSION  ROOM-TEMPERATURE  ZINC-OXIDE   Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427 Shi LW (Shi Liwei); Wang Q (Wang Qiang); Li YG (Li Yuguo); Xue CS (Xue Chengshan); Zhuang HZ (Zhuang Huizhao) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/04/11 ion implantation  annealing  chemical etching  photoluminescence  POROUS SILICON  LUMINESCENCE   Effect of ion flux on recrystallization and resistance lowering in phosphorus-implanted (0001)-oriented 4H-SiC 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 599-603 Xin G; Sun, GS; Li JM; Zhang YX; Lei W; Zhao WS; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/03/17 ion implantation   Influence of rapid thermal annealing on InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 20-27 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：67/18  |  提交时间：2010/03/17 annealing   Amorphous silicon carbide films prepared by H-2 diluted silane-methane plasma 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 7-12 Hu ZH; Liao XB; Diao HW; Kong GL; Zeng XB; Xu YY 收藏  |  浏览/下载：31/3  |  提交时间：2010/03/09 annealing