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• 半导体研究所 [23]

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发表日期

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学科主题

• 半导体物理 [23]

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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 First-principles study on strontium titanate for visible light photocatalysis 期刊论文  OAI收割 chemical physics letters, CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2013, 2013, 卷号: 555, 555, 页码: 141-144, 141-144 作者:  Liu, Hongfei;  Dong, Huafeng;  Meng, Xiuqing;  Wu, Fengmin   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/10/08 The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文  OAI收割 physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2011, 2011, 卷号: 375, 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155, 1152-1155 作者:  Liu CR;  Li JB;  Liu, CR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. supermanliu5@semi.ac.cn;  jbli@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：59/6  |  提交时间：2011/07/05 First principle calculation  Indium nitride  Band gap  Defect  INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  AUGMENTED-WAVE METHOD  INDIUM NITRIDE  GAP  PSEUDOPOTENTIALS  SEMICONDUCTORS  IMPURITIES  ABSORPTION  DEFECTS  ALLOYS  First Principle Calculation  Indium Nitride  Band Gap  Defect  Initio Molecular-dynamics  Augmented-wave Method  Indium Nitride  Gap  Pseudopotentials  Semiconductors  Impurities  Absorption  Defects  Alloys   Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 2010, 卷号: 107, 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108, Art. No. 073108 作者:  Zhu YH (Zhu Yuan-Hui);  Xu Q (Xu Qiang);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Wang JW (Wang Jian-Wei);  Zhu, YH, Nanyang Technol Univ, Sch EEE, 50 Nanyang Ave, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg   |  收藏  |  浏览/下载：67/3  |  提交时间：2010/05/07 ALLOYS  Alloys  Ge  GE   Spin-Polarized Localized Exciton Photoluminescence Dynamics in GaInNAs Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: art.no.100206 Lu SL (Lu, Shulong); Nosho H (Nosho, Hidetaka); Tackeuchi A (Tackeuchi, Atsushi); Bian LF (Bian, Lifeng); Dong JR (Dong, Jianrong); Niu ZC (Niu, Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：175/28  |  提交时间：2010/03/08 ALLOYS   Room Temperature Ferromagnetism of Mn Implanted AlInN 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 040202 Majid A; Sharif R; Ali A; Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：248/25  |  提交时间：2010/03/08 MAGNETIC-PROPERTIES  SEMICONDUCTORS  GAN  CR  ALLOYS  GROWTH  FILMS   Elasticity, band structure, and piezoelectricity of BexZn1-xO alloys 期刊论文  OAI收割 physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 16, 页码: 2930-2933 Duan, YF; Shi, HL; Qin, LX 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2010/03/08 first-principles  bowing coefficients  piezoelectricity  alloys  elasticity  semiconductor   Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ENERGY-GAP  100 GAAS  INASSB  INAS1-XSBX  ALLOYS  INSB  TRANSPORT  LAYERS   Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor  magnetic p-n junction  ion beam epitaxy  gadolinium silicides  METAL-INSULATOR-TRANSITION  P-N-JUNCTION  INDUCED FERROMAGNETISM  SI/SIER INTERFACE  BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  EXCITATION  MAGNETORESISTANCE  ALLOYS   Theoretical analysis of characteristics of GaxIn1-xNyAs1-y/GaAs quantum well lasers with different intermediate layers 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 1261-1263 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS  LUMINESCENCE  DIODES  ALLOYS   Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs 会议论文  OAI收割 symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GAAS1-XNX  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION