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• 半导体研究所 [17]

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• 期刊论文 [16]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [17]

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Application of Raman spectroscopy in carbon nanotube-based polymer composites 期刊论文  OAI收割 chinese science bulletin, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2010, 2010, 卷号: 55, 55, 期号: 35, 页码: 3978-3988, 3978-3988 作者:  Gao Y;  Li LY;  Tan PH;  Liu LQ;  Zhang Z   |  收藏  |  浏览/下载：101/2  |  提交时间：2011/07/05 Raman spectroscopy  carbon nanotube  composites  CNT macroarchitecture  RADIAL BREATHING MODE  DIAMETER DISTRIBUTION  WALL  SCATTERING  FIBERS  SENSORS  STRESS  FUNCTIONALIZATION  NANOCOMPOSITES  OXIDATION  Raman Spectroscopy  Carbon Nanotube  Composites  Cnt Macroarchitecture  Radial Breathing Mode  Diameter Distribution  Wall  Scattering  Fibers  Sensors  Stress  Functionalization  Nanocomposites  Oxidation   Structure, magnetization, and low-temperature spin dynamic behavior of zincblende Mn-rich Mn(Ga)As nanoclusters embedded in GaAs 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 5, 页码: art. no. 053912 Wang WZ; Deng JJ; Lu J; Sun BQ; Wu XG; Zhao JH 收藏  |  浏览/下载：213/74  |  提交时间：2010/03/08 annealing  Curie temperature  ferromagnetic materials  gallium arsenide  III-V semiconductors  magnetic susceptibility  magnetisation  manganese compounds  nanofabrication  nanostructured materials  RKKY interaction  semiconductor thin films  semimagnetic semiconductors  spin dynamics   Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: art. no. 031902 Zhang Q; Wang XQ; He XW; Yin CM; Xu FJ; Shen B; Chen YH; Wang ZG; Ishitani Y; Yoshikawa A 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/08 III-V semiconductors  indium compounds  nondestructive testing  photoconductivity  radiation effects  semiconductor thin films  wide band gap semiconductors   Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911 作者:  Chen L 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/03/08 annealing  gallium arsenide  iron  magnetic anisotropy  magnetic epitaxial layers  magnetisation  molecular beam epitaxial growth  transmission electron microscopy  X-ray diffraction   Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily Mn-doped (Ga,Mn)As films with high ferromagnetic transition temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 18, 页码: art.no.182505 作者:  Chen L;  Qian X 收藏  |  浏览/下载：83/39  |  提交时间：2010/03/08 annealing   Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206 Shi LJ; Zhu LF; Zhao YH; Liu BG 收藏  |  浏览/下载：217/56  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  aluminium compounds  annealing  band structure  chromium  Curie temperature  density functional theory  exchange interactions (electron)  ferromagnetic materials  III-V semiconductors  semimagnetic semiconductors  total energy  vacancies (crystal)   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 期刊论文  OAI收割 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   RBS/channeling study and photoluminscence properties of Er-implanted GaN 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562 Song SF; Zhou SQ; Chen WD; Zhu JJ; Chen CY; Xu ZJ 收藏  |  浏览/下载：234/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  erbium  Raman back scattering  photoluminscence  DOPED GAN  ERBIUM  PHOTOLUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE   Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931 Zhao YW; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：96/7  |  提交时间：2010/08/12 indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion  ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP  SEMIINSULATING INP  PHOTO-LUMINESCENCE  INDIUM-PHOSPHIDE  UNDOPED INP  PHOTOLUMINESCENCE  CRYSTALS  PRESSURE