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半导体研究所 [197]
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OAI收割 [197]
内容类型
期刊论文 [164]
会议论文 [33]
发表日期
2016 [2]
2014 [2]
2013 [2]
2012 [3]
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学科主题
光电子学 [197]
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共197条,第1-10条
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学科主题:光电子学
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Growth parametric study of N-polar InGaN films by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 91, 页码: 259-268
Fan Yang
;
Yuan-tao Zhang
;
Xu Han
;
Peng-chong Li
;
Jun-yan Jiang
;
Zhen Huang
;
Jing-zhi Yin
;
De-gang Zhao
;
Bao-lin Zhang
;
Guo-tong Du
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提交时间:2017/03/10
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H–SiC
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 057703
Feng Liang
;
Ping Chen
;
De-Gang Zhao
;
De-Sheng Jiang
;
Zhi-Juan Zhao
;
Zong-Shun Liu
;
Jian-Jun Zhu
;
Jing Yang
;
Wei Liu
;
Xiao-Guang He
;
Xiao-Jing Li
;
Xiang Li
;
Shuang-Tao Liu
;
Hui Yang
;
Li-Qun Zhang
;
Jian-Ping Liu
;
Yuan-Tao Zhang
;
Guo-Tong Du
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提交时间:2017/03/10
Study of N-polar GaN growth with a high resistivity by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
vacuum, 2015, 卷号: 119, 期号: 2015, 页码: 63e67
Junyan Jiang
;
Yuantao Zhang
;
Fan Yang
;
Zhen Huang
;
Long Yan
;
Pengchong Li
;
Chen Chi
;
Degang Zhao
;
Baolin Zhang
;
Guotong Du
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提交时间:2016/03/23
Unintentionally doped semi-insulating GaN with a low dislocation density grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 2014, 卷号: 32, 32, 期号: 5, 页码: 051207, 051207
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Chen, P
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提交时间:2015/03/25
Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2014, 2014, 卷号: 564, 564, 页码: 135-139, 135-139
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
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提交时间:2015/03/25
Influence of growth conditions on the lateral grain size of AlN film grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 8, 页码: 086102
Wu Liang-Liang, Zhao De-Gang, Li Liang, Le Ling-Cong, Chen Ping, Liu Zong-Shun, Jiang De-Sheng
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提交时间:2014/05/16
GaN nanorod light emitting diodes with suspended graphene transparent electrodes grown by rapid chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 22, 页码: 222105, 222105
作者:
Xu, Kun
;
Xu, Chen
;
Xie, Yiyang
;
Deng, Jun
;
Zhu, Yanxu
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提交时间:2014/04/04
Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Jia QJ (Jia, Q. J.)
;
Yang H (Yang, Hui)
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提交时间:2013/03/27
Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30
Zhu, JJ
;
Fan, YM
;
Zhang, H
;
Lu, GJ
;
Wang, H
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Chen, GF
;
Zhang, BS
;
Yang, H
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提交时间:2013/02/27
Indium Compositional Homogeneity in In0.17Al0.83N Epilayers Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
OAI收割
applied physics express, 2012, 卷号: 5, 期号: 10, 页码: 101002
Wang JM (Wang, Jiaming)
;
Xu FJ (Xu, Fujun)
;
Huang CC (Huang, Chengcheng)
;
Xu ZY (Xu, Zhengyu)
;
Zhang X (Zhang, Xia)
;
Wang Y (Wang, Yan)
;
Ge WK (Ge, Weikun)
;
Wang XQ (Wang, Xinqiang)
;
Yang ZJ (Yang, Zhijian)
;
Shen B (Shen, Bo)
;
Li W (Li, Wei)
;
Wang WY (Wang, Weiying)
;
Jin P (Jin, Peng)
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提交时间:2013/03/27