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Direct generation of ultrafast vortex beam from a Tm:CaYAlO4 oscillator featuring pattern matching of a folded-cavity resonator 期刊论文  OAI收割
Optics Express, 2021, 卷号: 29, 期号: 24, 页码: 39312-39322
作者:  Cao, Xue;  Liu, Yangyu
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/11/30
Improving performance of semipolar (202¯1) light emitting diodes through reduction of threading dislocations by AlGaN/GaN superlattice interlayer 期刊论文  OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2020, 卷号: 536
作者:  Song, Jie;  Choi, Joowon;  Han, Jung
  |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2020/03/12
Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures 专利  OAI收割
专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15
作者:  SHARMA, TARUN KUMAR;  TOWE, ELIAS
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26
Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 专利  OAI收割
专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13
作者:  KRYLIOUK, OLGA;  MELNIK, YURIY;  KOJIRI, HIDEHIRO
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Passivated semiconductor surfaces 专利  OAI收割
专利号: US8369371, 申请日期: 2013-02-05, 公开日期: 2013-02-05
作者:  CHIN, ALAND K.;  CHOW, PETER
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Free-space propagation of guided optical vortices excited in an annular core fiber 期刊论文  OAI收割
optics express, 2012, 卷号: 20, 期号: 16, 页码: 17904-17915
作者:  Yan, Hongwei;  Zhang, Entao;  Zhao, Baoyin;  Duan, Kailiang
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/12/14
Vicinal semipolar iii-nitride substrates to compensate tilt of relaxed hetero-epitaxial layers 专利  OAI收割
专利号: WO2012058262A3, 申请日期: 2012-06-21, 公开日期: 2012-06-21
作者:  SPECK, JAMES S.;  TYAGI, ANURAG;  ROMANOV, ALEXEY E.;  NAKAMURA, SHUJI;  DENBAARS, STEVEN P.
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
Group III nitride compound semiconductor on silicon and an epitaxial method of manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: EP1054442B1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
作者:  KOIDE, NORIKATSU;  KATO, HISAKI
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Fabrication method for algainnpassb based devices 专利  OAI收割
专利号: USR41336, 申请日期: 2010-05-18, 公开日期: 2010-05-18
作者:  KONDOW, MASAHIKO;  UOMI, KAZUHISA;  NAKAMURA, HITOSHI
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Semiconductor Saturable Absorber Reflector and Method to Fabricate Thereof 专利  OAI收割
专利号: US20090296767A1, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
作者:  OKHOTNIKOV, OLEG;  GUINA, MIRCEA;  GRUDININ, ANATOLY B.
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