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Nitride based semiconductor device and fabrication method for the same 专利  OAI收割
专利号: US8144743, 申请日期: 2012-03-27, 公开日期: 2012-03-27
作者:  NAKAGAWA, DAISUKE;  TANAKA, YOSHINORI;  MURAYAMA, MASAHIRO;  FUJIMORI, TAKAO;  KOHDA, SHINICHI
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Quantumwellhalbleiterlaser und Herstellungsverfahren 专利  OAI收割
专利号: DE69509962D1, 申请日期: 1999-07-08, 公开日期: 1999-07-08
作者:  LEBBY MICHAEL S. APACHE;  TEHRANI SAIED N. SCOTTSDALE ARIZONA
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光結合装置 专利  OAI收割
专利号: JP1995014102B2, 申请日期: 1995-02-15, 公开日期: 1995-02-15
作者:  仲川 栄一;  山下 純一郎
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1992043693A, 申请日期: 1992-02-13, 公开日期: 1992-02-13
作者:  TAKIGAWA SHINICHI;  SHIMIZU YUICHI
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Distribution feedback semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1991288489A, 申请日期: 1991-12-18, 公开日期: 1991-12-18
作者:  SUGAWARA SATOSHI;  TAKIGUCHI HARUHISA;  NAKANISHI CHITOSE;  KUDO HIROAKI
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Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1990052483A, 申请日期: 1990-02-22, 公开日期: 1990-02-22
作者:  NAMISAKI HIROBUMI;  OMURA ETSUJI
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Integrated semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1989119084A, 申请日期: 1989-05-11, 公开日期: 1989-05-11
作者:  TAWARA SHUICHI;  KITAMURA MITSUHIRO
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Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1989100985A, 申请日期: 1989-04-19, 公开日期: 1989-04-19
作者:  SEKII HIROSHI
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Superlattice 专利  OAI收割
专利号: JP1988313886A, 申请日期: 1988-12-21, 公开日期: 1988-12-21
作者:  YANO MITSUHIRO
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- 专利  OAI收割
专利号: JP1988059555B2, 申请日期: 1988-11-21, 公开日期: 1988-11-21
作者:  -
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