机构

• 半导体研究所 [425]

采集方式

• OAI收割 [335]
• iSwitch采集 [90]

内容类型

• 期刊论文 [381]
• 会议论文 [44]

发表日期

• 2013 [1]
• 2012 [2]
• 2011 [28]
• 2010 [14]
• 2009 [19]
• 2008 [31]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [162]
• 半导体物理 [120]
• 光电子学 [40]
• 半导体化学 [7]
• 半导体器件 [3]
• 微电子学 [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共425条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of nitrogen gas flow and growth temperature on extension of GaN layer on Si* 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 11, 页码: 118101 作者:  Xu, Jian-Kai;   Jiang, Li-Juan;   Wang, Qian;   Wang, Quan;   Xiao, Hong-Ling;   Feng, Chun;   Li, Wei;   Wang, Xiao-Liang   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2022/03/23 Fiber gas sensor-integrated smart face mask for room- temperature distinguishing of target gases 期刊论文  OAI收割 Nano Research, 2018, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 511-519 作者:  Zhiyi Gao ;   Zheng Lou ;   Shuai Chen ;   La Li ;   Kai Jiang ;   Zuoling Fu ;   Wei Han ;   Guozhen Shen   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/11/18 Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901 作者:  X. L. Zeng;  J. L. Yu;  S. Y. Cheng;  Y. F. Lai, Y. H. Chen;  W. Huang 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/23 Anomalous circular photogalvanic effect of the spin-polarized two-dimensional electron gas in Mg0.2Zn0.8O/ZnO heterostructures at room temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192405 - 192405-4 J. X. Duan, N. Tang, J. D. Ye, F. H. Mei, K. L. Teo, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/02/12 A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102 Ding JQ (Ding, Jieqin); Wang XL (Wang, Xiaoliang); Xiao HL (Xiao, Hongling); Wang CM (Wang, Cuimei); Chen H (Chen, Hong); Bi Y (Bi, Yang); Deng QW (Deng, Qinwen); Zhang JW (Zhang, Jingwen); Hou X (Hou, Xun) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/03/26 A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102 Ding, Jieqin; Wang, Xiaoliang; Xiao, Hongling; Wang, Cuimei; Chen, Hong; Bi, Yang; Deng, Qinwen; Zhang, Jingwen; Hou, Xun 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/04/19 Formation of rippled surface morphology during si/si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Hu Wei-Xuan;  Cheng Bu-Wen;  Xue Chun-Lai;  Su Shao-Jian;  Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Step-bunching  Ehrlich-chwoebel barrier  Elastic repulsion  Fluctuation   Optically induced current oscillation in a modulation-doped field-effect transistor embedded with inas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 44, 期号: 3, 页码: 686-689 作者:  Li, Y. Q.;  Wang, X. D.;  Xu, X. N.;  Liu, W.;  Yang, F. H. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Modulation-doped  Field-effect transistors  Output characteristics   Size-dependent electroluminescence from si quantum dots embedded in amorphous sic matrix 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 6, 页码: 6 作者:  Rui, Yunjun;  Li, Shuxin;  Xu, Jun;  Song, Chao;  Jiang, Xiaofan 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Vls growth of siox nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: 5 作者:  Huang, Shengli;  Wu, Yan;  Zhu, Xianfang;  Li, Lunxiong;  Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12