机构

• 微电子研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 外文期刊 [10]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [2]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The photoluminescence of SiCN thin films prepared by C+ implantation into alpha-SiNx:H 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Dong, LJ;  Zhang, GB;  Xu, PS;  Chen, DP;  Chen, CO   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26 Deposition  Xps   Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets   A novel source/drain on void (SDOV) MOSFET implemented by local co-implantation of hydrogen and helium 外文期刊  OAI收割 2008 作者:  Wang, YY;  Chan, MZ;  Feng, CG;  Chen, BQ;  Tian, Y   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/11/26 Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs 外文期刊  OAI收割 2007 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Liu, HH;  Han, ZS;  Ye, TC   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension 外文期刊  OAI收割 2006 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Qian, H;  Liu, HH;  Li, HO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET 外文期刊  OAI收割 2005 作者:  Zheng, ZS;  Liu, ZL;  Zhang, GQ;  Li, N;  Fan, K   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried layers using nitrogen implantation 外文期刊  OAI收割 2005 作者:  Zheng, ZS;  Liu, ZL;  Zhang, GQ;  Li, N;  Li, GH   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Oxides   Effects of Si, Ge and Ar ion-implantation on EL from Au/Si-rich SiO2/p-Si structure 外文期刊  OAI收割 2001 作者:  Chen, Y;  Ran, GZ;  Sun, YK;  Wang, YB;  Fu, JS   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Silicon-dioxide Films  Visible Electroluminescence  Optical-properties  Photoluminescence  Enhancement  Sio2-films  Glass   The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊  OAI收割 2001 作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Yin, HX;  Jia, L   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 p+-polysilicon Gate  Ge Preamorphization  Thin-films  Oxides  Transformation  Suppression  Resistance  Extension  Salicide  Mosfet   New Ti-SALICIDE process using Sb and Ge preamorphization for sub-o.2 mu m CMOS technology 外文期刊  OAI收割 1998 作者:  Xu, QX;  Hu, CM   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Thin-films  Tisi2  Silicon  Transformation  Phase  Agglomeration  Resistance  Stability  Devices