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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Solution-processed amorphous Ga2O3:CdO TFT-type deep-UV photodetectors 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 116, 期号: 19 作者:  Xiao, Xi;  Liang, Lingyan;  Pei, Yu;  Yu, Jiahuan;  Duan, Hongxiao   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/12/16 THIN-FILM TRANSISTORS  GALLIUM OXIDE  BETA-GA2O3  PERFORMANCE   ZnO nanoflowers modified with RuO2 for enhancing acetone sensing performance 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2020, 卷号: 31, 期号: 11 作者:  Zhang, Shendan;  Wang, Chenhao;  Qu, Fengdong;  Liu, Siqi;  Lin, Cheng-Te   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/12/16 FACILE SYNTHESIS  TEMPLATED FORMATION  SELECTIVE DETECTION  HIGH-RESPONSE  GAS  NANOPARTICLES  NANOFIBERS  NANOSHEETS  NO2  MICROSPHERES   Increased O 2p State Density Enabling Significant Photoinduced Charge Transfer for Surface-Enhanced Raman Scattering of Amorphous Zn(OH)(2) 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS, 2020, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 1859-1866 作者:  Li, Anran;  Yu, Jian;  Lin, Jie;  Chen, Mo;  Wang, Xiaotian   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/12/16 TRANSITION-METAL  GRAPHENE  SERS  PLATFORM   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing   |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge   Ultrahigh Anomalous Hall Sensitivity in Co/Pt Multilayers by Interfacial Modification 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 卷号: 6, 期号: 10, 页码: 103007 作者:  Zhang, JY;  Yang, G;  Wang, SG;  Zhang, SL;  Zhang, P 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/04/08 The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702 Hu, ZY; Liu, ZL; Shao, H; Zhang, ZX; Ning, BX; Bi, DW; Chen, M; Zou, SC 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/17 total ionizing dose  shallow trench isolation  oxide trapped charge  metal-oxide-semiconductor field effect transistor   Ni-Al-O diffusion barrier layer for high-kappa metal-oxide-semiconductor capacitor 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2011, 卷号: 519, 期号: 10, 页码: 3358-3362 作者:  Wu D. Q.;  Jia R.;  Yao J. C.;  Zhao H. S.;  Chang A. M. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/11/07 High-kappa gate dielectrics  Leakage current density  Er(2)O(3)  Ni-Al-O  Diffusion barrier layer   Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6 作者:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Cui Jiang-Wei;  Lan Bo 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/11/29 p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor  Co-60 gamma-ray  total-dose irradiation damage effects  enhanced low dose rate sensitivity   First-principles theory of tunneling currents in metal-oxide-semiconductor structures 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: - 作者:  Zhang, X. -G.;  Lu, Zhong-Yi;  Pantelides, Sokrates T.;  Zhang, XG , Oak Ridge Natl Lab, Ctr Nanophys Mat Sci, Oak Ridge, TN 37831 USA   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/08/02 Ultrathin Gate Oxides  Band-structure  Electron-gas  States  Junctions  Formula