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• 半导体研究所 [173]

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内容类型

• 期刊论文 [173]

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浏览/检索结果: 共173条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A highly tunable quadruple quantum dot in a narrow bandgap semiconductor InAs nanowire 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE, 2021, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 3983-3990 作者:  Mu, Jingwei;   Huang, Shaoyun;   Liu, Zhi-Hai;   Li, Weijie;   Wang, Ji-Yin;   Pan, Dong;   Huang, Guang-Yao;   Chen, Yuanjie;   Zhao, Jianhua;   Xu, H. Q.   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2022/09/30 Detection of charge states of an InAs nanowire triple quantum dot with an integrated nanowire charge sensor 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 页码: 262102 作者:  Li, WJ (Li, Weijie);   Mu, JW (Mu, Jingwei);   Huang, SY (Huang, Shaoyun);   Pan, D (Pan, Dong);   Zhao, JH (Zhao, Jianhua);   Xu, HQ (Xu, H. Q.)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/05/21 Improving the performance of optical antenna for optical phased arrays through high- contrast grating structure on SOI substrate 期刊论文  OAI收割 Optics Express, 2019, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 2703-2712 作者:  P. F. WANG ;   G. Z. LUO ;   H. Y. YU ;   Y. J. LI ;   M. Q. WANG ;   X. L. ZHOU ;   W. X. CHEN;   Y. J. ZHANG ;   , J. Q. PAN   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/07/31 Direct Growth of 5 in. Uniform Hexagonal Boron Nitride on Glass for High-Performance Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 Advanced Materials Interfaces, 2018, 卷号: 5, 期号: 18, 页码: 1800662 作者:  Qiucheng Li;   Qingqing Wu;   Jing Gao;   Tongbo Wei;   Jingyu Sun;   Hao Hong;   Zhipeng Dou;   Zhepeng Zhang;   Mark H. Rümmeli;   Peng Gao;   Jianchang Yan;   Junxi Wang;   Jinmin Li;   Yanfeng Zhang;   Zhongfan Liu   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/11/12 Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2018, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 060407 作者:  K. K. Meng;   X. P. Zhao;   P. F. Liu;   Q. Liu;   Y. Wu;   Z. P. Li;   J. K. Chen;   J. Miao;   X. G. Xu;   J. H. Zhao;   Y. Jiang   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/12 Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 34-40 作者:  J. Yang ;   S.T. Liu ;   X.W. Wang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   L.Q. Zhang ;   H. Yang ;   W.J. Wang ;   M. Li   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/11/19 Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850 作者:  J. Yang;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  P. Chen;  J. J. Zhu   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/30 Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 35-39 作者:  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  P. Chen;  J.J. Zhu   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/11/30 Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68 作者:  S.T. Liu;  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  F. Liang 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/07/11 Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103 作者:  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  H. Long;  M. Li 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/07/11