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半导体研究所 [43]
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内容类型
期刊论文 [43]
发表日期
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XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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  |  
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
收藏
  |  
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 011206
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
L. C. Le
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
H. Yang
收藏
  |  
Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 页码: 055709
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
L. C. Le
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
收藏
  |  
Differential resistance of GaN-based laser diodes with and without polarization effect
期刊论文
OAI收割
applied optics, 2015, 卷号: 54, 期号: 29, 页码: 8706-8711
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
;
J. J. ZHU
;
J. YANG
;
L. C. LE
;
W. LIU
;
X. G. HE
;
X. J. LI
;
F. LIANG
;
L. Q. ZHANG
;
J. Q. LIU
;
H. YANG
收藏
  |  
The significant effect of the thickness of Ni film on the performance of the Ni/Au Ohmic contact to p-GaN
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 2014, 卷号: 116, 116, 期号: 16, 页码: 163708, 163708
作者:
Li, X. J.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Liu, Z. S.
;
Chen, P.
  |  
收藏
  |  
Effects of matrix layer composition on the structural and optical properties of self-organized InGaN quantum dots
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 9, 页码: 093105
Z. C. Li, J. P. Liu, M. X. Feng, K. Zhou, S. M. Zhang, H. Wang, D. Y. Li, L. Q. Zhang, Q. Sun, D. S. Jiang, H. B.Wang, and H. Yang
收藏
  |  
Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2013, 卷号: 46, 期号: 20, 页码: 205103
Su, X. J.
;
Xu, K.
;
Xu, Y.
;
Ren, G. Q.
;
Zhang, J. C.
;
Wang, J. F.
;
Yang, H.
收藏
  |  
Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2013, 卷号: 372, 页码: 43-48
Su, X. J.
;
Xu, K.
;
Ren, G. Q.
;
Wang, J. F.
;
Xu, Y.
;
Zeng, X. H.
;
Zhang, J. C.
;
Cai, D. M.
;
Zhou, T. F.
;
Liu, Z. H.
;
Yang, H.
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Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, Journal of Applied Physics, 2013, 2013, 卷号: 114, 114, 期号: 14, 页码: 143706, 143706
作者:
Le, L. C.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Li, L.
;
Wu, L. L.
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