机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2002 [9]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2002    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of gan by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Feng, G;  Fu, Y;  Xia, JS;  Zhu, JJ;  Zhang, BS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Crystallographic tilt in gan layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Feng, G;  Zheng, XH;  Zhu, JJ;  Shen, XM;  Zhang, BS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Epitaxial lateral overgrowth  Crystallographic tilt  Double crystal x-ray diffraction   Thermal annealing behaviour of ni/au on n-gan schottky contacts 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Sun, YP;  Shen, XM;  Wang, J;  Zhao, DG;  Feng, G 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown gan using selective etching 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Feng, G;  Zheng, XH;  Fu, Y;  Zhu, JJ;  Shen, XM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Etching  Metalorganic vapor-phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting iii-v materials   Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  epitaxial lateral overgrowth  crystallographic tilt  double crystal X-ray diffraction  FILMS  DEFECTS  GAAS   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：84/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  DEPOSITION  LAYERS  FILMS   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  etching  metalorganic vapor-phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  DISLOCATIONS  DENSITY  GROWTH  LAYERS   Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 RESISTANCE OHMIC CONTACTS  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  STABILITY  BARRIER  DIODES