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• 苏州纳米技术与纳米... [31]

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• 期刊论文 [31]

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浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 Materials Technology, 2016 作者:  Liang, F.;  Chen, P.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liu, Z.S. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/03/11 The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 213, 期号: 8 作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11 Reduction of Polarization Field Strength in Fully Strained c-Plane InGaN/(In)GaN Multiple Quantum Wells Grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2016 作者:  Zhang, Feng(张峰);  Ikeda, Masao;  Zhang, Shu-Ming(张书明);  Liu, Jian-Ping(刘建平);  Tian, Ai-Qin(田爱琴) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 A low resistivity n(++)-InGaN/p(++)-GaN polarization-induced tunnel junction 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 11 作者:   收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/03/11 Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 96 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation of InGaN/GaN laser degradation based on luminescence properties 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 21 作者:  Wen, PY(温鹏雁);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Li, DY(李德尧);  Zhang, LQ(张立群) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11 Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4 作者:  Li, X;  Liu, ZS;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文  OAI收割 VACUUM, 2016, 卷号: 129 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681 作者:  Yang, J 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11