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  • 微电子研究所 [18]
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一种有效提高阻变存储器耐久性的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410643264.9, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2015-03-25
作者:  龙世兵;  王国明;  张美芸;  李阳;  许定林
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/06
对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410377423.5, 申请日期: 2017-10-17, 公开日期: 2014-11-05
作者:  王国明;  龙世兵;  张美芸;  李阳;  许晓欣
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/04/27
一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 专利  OAI收割
专利号: CN201310491719.5, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2014-01-22
作者:  龙世兵;  王国明;  张美芸;  李阳;  王明
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/04/27
一种降低阻变存储器电铸电压的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410222652.X, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2014-07-30
作者:  吕杭炳;  刘琦;  刘明;  刘红涛;  龙世兵
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/04/27
The Statistics of Set Time of Oxide-based Resistive Switching Memory 会议论文  OAI收割
作者:  Zhang MY(张美芸);  Wang GM(王国明);  Yu ZA(余兆安);  Li Y(李阳);  Xu DL(许定林)
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/05/19
一种制备纳米器件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310491769.3, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-01-08
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/06/09
INVESTIGATION OF THE FORMING PROGRAM FAILTURE IN ITIR STRUCTURE 会议论文  OAI收割
作者:  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Wang GM(王国明);  Zhang MY(张美芸);  Liu HT(刘红涛)
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/06/14
A Physical Model for the Statistics of the Set Switching Time of Resistive RAM Measured with the Width-Adjusting Pulse Operation Method 期刊论文  OAI收割
IEEE Electron Device Letters, 2015
作者:  Zhang MY(张美芸);  Yu ZA(余兆安);  Li Y(李阳);  Xu DL(许定林);  Lv HB(吕杭炳)
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/05/24
Justification and Monte Carlo simulation of microstructure evolution process of conductive filament in reset transition in Cu/HfO2/Pt RRAM 会议论文  OAI收割
作者:  Liu Q(刘琦);  Xu XX(许晓欣);  Zhang MY(张美芸);  Wang GM(王国明);  Liu M(刘明)
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/06/14
Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM 会议论文  OAI收割
作者:  Liu M(刘明);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳);  Xu DL(许定林);  Xu XX(许晓欣)
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/14