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  • 2015 [32]
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INVESTIGATION OF THE FORMING PROGRAM FAILTURE IN ITIR STRUCTURE 会议论文  OAI收割
作者:  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Wang GM(王国明);  Zhang MY(张美芸);  Liu HT(刘红涛)
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/06/14
A Physical Model for the Statistics of the Set Switching Time of Resistive RAM Measured with the Width-Adjusting Pulse Operation Method 期刊论文  OAI收割
IEEE Electron Device Letters, 2015
作者:  Zhang MY(张美芸);  Yu ZA(余兆安);  Li Y(李阳);  Xu DL(许定林);  Lv HB(吕杭炳)
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/05/24
Conductance Quantization in Resistive Random Access Memory 期刊论文  OAI收割
Nanoscale Research Letters, 2015
作者:  Li Y(李阳);  Long SB(龙世兵);  Liu Y(刘洋);  Hu C(胡晨);  Teng J(腾蛟)
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/24
Understanding of the abnormal unipolar resistance switching behavior in CBRAM 会议论文  OAI收割
作者:  Liu M(刘明);  Sun HT(孙海涛);  Liu Q(刘琦);  Xu DL(许定林);  Zhang KK(张科科)
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/06/14
Atomic view of filament growth in electrochemical memristive element 期刊论文  OAI收割
Scitentific report, 2015
作者:  Liu M(刘明);  Li L(李泠);  Long SB(龙世兵);  Sun HT(孙海涛);  Liu Q(刘琦)
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/06/03
The TID effects of RRAM based oxide material 会议论文  OAI收割
作者:  Wang Y(王艳);  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Lv HB(吕杭炳);  Liu Q(刘琦)
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/14
一种半导体存储器件 专利  OAI收割
专利号: CN201110137423.4, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2012-11-28
作者:  许中广;  李冬梅;  龙世兵;  谢常青;  张满红
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/04/12
Thermal crosstalk in 3-dimensional RRAM crossbar array 期刊论文  OAI收割
Scientific Reports, 2015
作者:  Lu ND(卢年端);  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳)
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/05/24
Atomic View of Filament Growth in Electrochemical Memristive Elements 期刊论文  OAI收割
Scientific Reports, 2015
作者:  Luo Q(罗庆);  Sun PX(孙鹏霄);  Liu HT(刘红涛);  Lv HB(吕杭炳);  Li L(李泠)
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/05/24
复合存储单元与存储器 专利  OAI收割
专利号: CN201110046327.9, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2012-08-29
作者:  霍宗亮;  谢常青;  刘璟;  王琴;  李冬梅
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/10/25