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机构
半导体研究所 [10]
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2014 [2]
2012 [2]
2010 [2]
2009 [4]
学科主题
半导体物理 [9]
半导体器件 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
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限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
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95
100
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Experimental Test of the State Estimation-Reversal Tradeoff Relation in General Quantum Measurements
期刊论文
OAI收割
physical review x, PHYSICAL REVIEW X, 2014, 2014, 卷号: 4, 4, 期号: 5, 页码: 021043, 021043
作者:
Chen, G
;
Zou, Y
;
Xu, XY
;
Tang, JS
;
Li, YL
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2015/04/02
In situ tuning biexciton antibinding-binding transition and fine-structure splitting through hydrostatic pressure in single InGaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
epl, EPL, 2014, 2014, 卷号: 107, 107, 期号: 2, 页码: 27008, 27008
作者:
Wu, XF
;
Wei, H
;
Dou, XM
;
He, LX
;
Sun, BQ
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/03/25
Defect of Te-doped GaSb layers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of infrared and millimeter waves, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 2012, 卷号: 31, 31, 期号: 4, 页码: 298-301, 298-301
作者:
Chen Y (Chen Yan)
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提交时间:2013/04/02
Optimization of the GaAs-on-Si Substrate for Microelectromechanical Systems (MEMS) Sensor Application
期刊论文
OAI收割
materials, MATERIALS, 2012, 2012, 卷号: 5, 5, 期号: 12, 页码: 2917-2926, 2917-2926
作者:
Shi YB (Shi, Yunbo)
;
Guo H (Guo, Hao)
;
Ni HQ (Ni, Haiqiao)
;
Xue CY (Xue, Chenyang)
;
Niu ZC (Niu, Zhichuan)
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提交时间:2013/03/26
Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 2010, 卷号: 27, 27, 期号: 7, 页码: art. no. 077305, Art. No. 077305
作者:
Wang GW (Wang Guo-Wei)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Guo J (Guo Jie)
;
Tang B (Tang Bao)
;
Ren ZW (Ren Zheng-Wei)
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提交时间:2010/08/17
IR DETECTION MODULES
Ir Detection Modules
Inas
INAS
Direct observation of excitonic polaron in InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
epl, EPL, 2010, 2010, 卷号: 90, 90, 期号: 3, 页码: art. no. 37004, Art. No. 37004
作者:
Gong M (Gong Ming)
;
Chen G (Chen Geng)
;
He LX (He Lixin)
;
Li CF (Li Chuan-Feng)
;
Tang JS (Tang Jian-Shun)
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提交时间:2010/07/18
PHONON COUPLING REGIME
Phonon Coupling Regime
Comparison of short period InAs/GaSb superlattices on GaSb and GaAs substrates
期刊论文
OAI收割
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 23-27
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:209/35
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提交时间:2010/03/08
InAs/GaSb
superlattice
substrates
infrared detector
SHORT PERIOD InAs/GaSb SUPERLATTICE INFRARED DETECTOR ON GaAs SUBSTRATES
期刊论文
OAI收割
journal of infrared and millimeter waves, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 165-+
作者:
Xu YQ
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提交时间:2010/03/08
superlattice
InAs/GaSb infrared detector
molecular-beam epitaxy (MBE)
spectral response
Interfaces in InAs/GaSb Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: art. no. 047802
作者:
Xu YQ
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提交时间:2010/03/08
INAS
InAs/GaSb superlattices for photodetection in short wavelength infrared range
期刊论文
OAI收割
infrared physics & technology, 2009, 卷号: 52, 期号: 4, 页码: 124-126
作者:
Xu YQ
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提交时间:2010/03/08
Superlattices
InAs/GaSb
Short wavelength
Infrared detector