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半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2017 [1]
2013 [1]
2010 [3]
2007 [1]
学科主题
半导体材料 [6]
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901
作者:
X. L. Zeng
;
J. L. Yu
;
S. Y. Cheng
;
Y. F. Lai, Y. H. Chen
;
W. Huang
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2018/05/23
Effect of polarization on intersubband transition in AlGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192109 - 192109-5
G. Chen, Z. L. Li, X. Q. Wang, C. C. Huang, X. Rong, L. W. Sang, F. J. Xu, N. Tang, Z. X. Qin, M. Sumiya, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/02/12
Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Bai YM (Bai Y. M.)
收藏
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浏览/下载:170/19
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提交时间:2010/09/20
OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION
DISPERSION-RELATIONS
CARRIER MOBILITIES
PHASE EPITAXY
DOPED GAAS
DEVICES
GASB
INP
ALXGA1-XAS
INGAASSB
Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate
期刊论文
OAI收割
ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Liu XY (Liu X. Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/11/14
Electron state density
Fermi-level pinning (FLP)
MIS structures
work function (WF)
WORK FUNCTION
Evaluation of thermal radiation dependent performance of GaSb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model
期刊论文
OAI收割
solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Wang YS (Wang Y. S.)
;
Zhang H (Zhang H.)
收藏
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浏览/下载:190/22
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提交时间:2010/09/07
Thermophotovoltaic
Gallium antimonide
Absorption coefficient
Weak antilocalization and beating pattern in an InGaAs/InAlAs quantum well
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 2007, 卷号: 143, 期号: 6-7, 页码: 300-303
Zhou, WZ (Zhou, W. Z.)
;
Lin, T (Lin, T.)
;
Shang, LY (Shang, L. Y.)
;
Yu, G (Yu, G.)
;
Huang, ZM (Huang, Z. M.)
;
Guo, SL (Guo, S. L.)
;
Gui, YS (Gui, Y. S.)
;
Dai, N (Dai, N.)
;
Chu, JH (Chu, J. H.)
;
Cui, LJ (Cui, L. J.)
;
Li, DL (Li, D. L.)
;
Gao, HL (Gao, H. L.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/29
quantum well