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Suppression the formation of V-pits in InGaN/ GaN multi-quantum well growth and its effect on the performance of GaN based laser diodes 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2020, 卷号: 822, 页码: 153571
作者:  J. Yang ;  D.G. Zhao;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang;   S.T. Liu;   Y. Xing
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Anomalously large resistance at the charge neutrality point in a zero-gap inas/gasb bilayer 期刊论文  iSwitch采集
New journal of physics, 2018, 卷号: 20, 期号: 5
作者:  Yu,W;  Clericò,V;  Fuentevilla,C Hernández;  Shi,X;  Jiang,Y
收藏  |  浏览/下载：305/0  |  提交时间：2019/05/12
Improvement of thermal stability of InGaN/GaN multiple-quantum-well by reducing the density of threading dislocations 期刊论文  OAI收割
OPTICAL MATERIALS, 2018, 卷号: 85, 页码: 14-17
作者:  J. Yang ;   D.G. Zhao;   D.S. Jiang ;   S.T. Liu ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   M. Li
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/11/19
Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms 期刊论文  OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 34-40
作者:  J. Yang ;   S.T. Liu ;   X.W. Wang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   L.Q. Zhang ;   H. Yang ;   W.J. Wang ;   M. Li
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/11/19
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文  OAI收割
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Y. Peng ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/19
Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer 期刊论文  OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 690-695
作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/19
Compensation of magnesium by residual carbon impurities in p-type GaN grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 765, 页码: 245-248
作者:  H.R. Qi ;   L.K. Yi ;   J.L. Huang ;   S.T. Liu ;   F. Liang ;   M. Zhou ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/11/19
Probing the semiconductor to semimetal transition in InAs/GaSb double quantum wells by magneto-infrared spectroscopy 期刊论文  OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: 045116
作者:  Y. Jiang;  S. Thapa;  G. D. Sanders;  C. J. Stanton;  Q. Zhang
  |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/06/01
Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes 期刊论文  OAI收割
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850
作者:  J. Yang;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  P. Chen;  J. J. Zhu
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Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region 期刊论文  OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602
作者:  J. YANG;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  X. LI;  F. LIANG
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