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机构
半导体研究所 [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2017 [1]
2016 [4]
2013 [1]
2007 [1]
2006 [2]
学科主题
光电子学 [9]
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浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
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学科主题:光电子学
条数/页:
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Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
OAI收割
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
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提交时间:2018/07/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. G. He
;
X. J. Li
;
X. Li
;
S. T. Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
materials technology, 2016
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. Li
;
S. T. Liu
;
H. Yang
;
L. Q. Zhang
;
J. P. Liu
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 4, 页码: 043508, 043508
作者:
M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang
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提交时间:2014/04/09
Violet electroluminescence of AlInGaN-InGaN multiquantum-well light-emitting diodes: Quantum-confined stark effect and heating effect
期刊论文
OAI收割
ieee photonics technology letters, 2007, 卷号: 19, 期号: 9-12, 页码: 789-791
Li, J (Li, Jun)
;
Shi, SL (Shi, S. L.)
;
Wang, YJ (Wang, Y. J.)
;
Xu, SJ (Xu, S. J.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Lu, F (Lu, F.)
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提交时间:2010/03/29
AlInGaN
Investigation on acceleration response of fiber optic mandrel hydrophone
会议论文
OAI收割
4th international symposium on instrumentation science and technology (isist '2006), harbin, peoples r china, aug 08-12, 2006
Zhang, WT (Zhang, W. T.)
;
Liu, YL (Liu, Y. L.)
;
Li, F (Li, F.)
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提交时间:2010/03/29
Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
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提交时间:2010/04/11
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X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
indium nitride
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