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• 半导体研究所 [88]

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内容类型

• 期刊论文 [73]
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发表日期

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浏览/检索结果: 共88条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Magnetic field controllable nonvolatile resistive switching effect in silicon device 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 24, 页码: 243511 Wang, JM; Zhang, XZ; Piao, HG; Luo, ZC; Xiong, CY; Wang, XF; Yang, FH 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/04/02 Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2014, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 085310 Liang, SH; Zhang, TT; Barate, P; Frougier, J; Vidal, M; Renucci, P; Xu, B; Jaffres, H; George, JM; Devaux, X; Hehn, M; Marie, X; Mangin, S; Yang, HX; Hallal, A; Chshiev, M; Amand, T; Liu, HF; Liu, DP; Han, XF; Wang, ZG; Lu, Y 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/03/25 Analysis of InGaN light-emitting diodes with GaN-AlGaN and AlGaN-GaN composition-graded barriers 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 23, 页码: 233102 Yang, YJ; Wang, JX; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/04/02 Evidence of Type-II Band Alignment in III-nitride Semiconductors: Experimental and theoretical investigation for In0.17Al0.83N/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6521 Wang, JM; Xu, FJ; Zhang, X; An, W; Li, XZ; Song, J; Ge, WK; Tian, GS; Lu, J; Wang, XQ; Tang, N; Yang, ZJ; Li, W; Wang, WY; Jin, P; Chen, YH; Shen, B 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/03/20 Influence of AlGaN Electron Blocking Layer on Modulation Bandwidth of GaN-Based Light Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 ecs solid state letters, ECS SOLID STATE LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 3, 3, 期号: 3, 页码: r11-r13, R11-R13 作者:  Zhu, SX;  Wang, JX;  Yan, JC;  Zhang, Y;  Pei, YR   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/05/11 Influence of AlGaN Electron Blocking Layer on Modulation Bandwidth of GaN-Based Light Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 ecs solid state letters, ECS SOLID STATE LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 3, 3, 期号: 3, 页码: r11-r13, R11-R13 作者:  Zhu, SX;  Wang, JX;  Yan, JC;  Zhang, Y;  Pei, YR   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/05/11 Efficiency enhancement of homoepitaxial InGaN/GaN light-emitting diodes on freestanding GaN substrate with double embedded SiO2 photonic crystals 期刊论文  OAI收割 optics express, OPTICS EXPRESS, 2014, 2014, 卷号: 22, 22, 期号: 13, 页码: a1093-a1100, A1093-A1100 作者:  Wei, TB;  Huo, ZQ;  Zhang, YH;  Zheng, HY;  Chen, Y   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/03/25 Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 optics express, OPTICS EXPRESS, 2014, 2014, 卷号: 22, 22, 期号: 9, 页码: a1001-a1008, A1001-A1008 作者:  Ji, XL;  Wei, TB;  Yang, FH;  Lu, HX;  Wei, XC   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/04/02 Morphological Evolution of a-GaN on r-Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 26801 Sang, L; Liu, JM; Xu, XQ; Wang, J; Zhao, GJ; Liu, CB; Gu, CY; Liu, GP; Wei, HY; Liu, XL; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/03/17 Optimization of the Dielectric Layer Thickness for Surface-Plasmon-Induced Light Absorption for Silicon Solar Cells 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2012, 卷号: 51, 期号: 4，part 1, 页码: 42301 Xu, R; Wang, XD; Liu, W; Song, L; Xu, XN; Ji, A; Yang, FH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/17