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• 半导体研究所 [24]

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• OAI收割 [24]

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• 期刊论文 [21]
• 会议论文 [3]

发表日期

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学科主题

• 半导体材料 [24]

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Improvement of efficiency of GaN-based polarization-doped light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 98, 98, 期号: 24, 页码: 241111, 241111 作者:  Zhang, L;  Wei, XC;  Liu, NX;  Lu, HX;  Zeng, JP   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/02/06 ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  TRANSPORT-PROPERTIES  Algan/gan Heterostructures  Transport-properties   Optical properties of Mn+ doped GaAs 期刊论文  OAI收割 optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 784-787 Zhou HY (Zhou Huiying); Qu SC (Qu Shengchun); Liao SZ (Liao Shuzhi); Zhang FS (Zhang Fasheng); Liu JP (Liu Junpeng); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：175/22  |  提交时间：2010/08/17 Photoluminescence  Ion implantation  Manganese  GaAs  ION-IMPLANTATION  SEMICONDUCTORS  CENTERS  DOTS   Dielectric relaxation and giant dielectric constant of Nb-doped CaCu3Ti4O12 ceramics under dc bias voltage 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 562-566 Liu P; He Y; Zhou JP; Mu CH; Zhang HW 收藏  |  浏览/下载：156/21  |  提交时间：2010/03/08 COPPER-TITANATE  GRAIN-BOUNDARY  BEHAVIOR   The synthesis of MDMO-PPV capped PbS nanorods and their application in solar cells 期刊论文  OAI收割 current applied physics, 2009, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 1175-1179 作者:  Tan FR 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/03/08 Polymers  Nanorods  Solar cells   Investigation of Mn-implanted n-type Ge 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：104/34  |  提交时间：2010/03/09 Auger electron spectroscopy   Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：299/12  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconductor III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INTERMEDIATE LAYER  ALAS  ALN  SURFACES  SILICON  FILMS   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：292/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE   GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394 Zhou JP; Chen NF; Zhang FQ; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  X-ray photoelectron spectroscopy  ion beam epitaxy  semiconducting gadolinium silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  MAGNETIC SEMICONDUCTORS  TRANSITION  INSULATOR  SILICON  FILMS   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：98/8  |  提交时间：2010/08/12 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS