中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [16]
金属研究所 [10]
上海硅酸盐研究所 [3]
大连化学物理研究所 [2]
兰州化学物理研究所 [2]
物理研究所 [1]
更多
采集方式
OAI收割 [33]
iSwitch采集 [5]
内容类型
期刊论文 [36]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2019 [2]
2018 [1]
2017 [4]
2014 [2]
2013 [1]
2010 [1]
更多
学科主题
半导体材料 [8]
Chemistry,... [2]
光电子学 [2]
Materials ... [1]
Materials ... [1]
Materials ... [1]
更多
筛选
浏览/检索结果:
共38条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Surface-reduced Si-doped TiO2 nanotubes for high-efficiency photoelectrochemical water splitting
期刊论文
OAI收割
FUNCTIONAL MATERIALS LETTERS, 2019, 卷号: 12, 期号: 6
作者:
Si, Dawei
;
Dong, Zhenbiao
;
Li, Ting
;
Ding, Dongyan
;
Ning, Congqin
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:68/0
  |  
提交时间:2019/12/31
TiO2 nanotubes
Si-doping
NaBH4 reduction
water splitting
High-efficiency photoelectrochemical water splitting with heterojunction photoanode of In2O3-x nanorods/black Ti-Si-O nanotubes
期刊论文
OAI收割
INTERNATIONAL JOURNAL OF HYDROGEN ENERGY, 2019, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 17611
作者:
Dong, Zhenbiao
;
Ding, Dongyan
;
Li, Ting
;
Ning, Congqin
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:77/0
  |  
提交时间:2019/12/26
PEC water splitting
Heterojunction photoanode
TiO2 nanotubes
Si-doping
In2O3 nanorods
Facile fabrication of Si-doped TiO2 nanotubes photoanode for enhanced photoelectrochemical hydrogen generation
期刊论文
OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 436, 页码: 125, 133
作者:
Dong, Zhenbiao
;
Ding, Dongyan
;
Li, Ting
;
Ning, Congqin
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2018/12/28
Ti-Si alloys
Anodization
Si doping
TiO2 nanotubes
Photoelectrochemical water splitting
The critical role of Si doping in enhancing the stability of M6C carbides
期刊论文
OAI收割
ELSEVIER SCIENCE SA, 2017, 卷号: 728, 页码: 917-926
作者:
Jiang, Li
;
Ye, Xiang-Xi
;
Wang, Zhi-Qiang
;
Yu, Cun
;
Dong, Jia-Sheng
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:68/0
  |  
提交时间:2018/01/10
Si Doping
M6c Carbides
Stability
Si K-edge Xanes
First-principles Calculations
Effect of argon flow on promoting boron doping for in-situ grown silicon nitride thin films containing silicon quantum dots
期刊论文
OAI收割
NANOTECHNOLOGY, 2017, 卷号: 28
作者:
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2017/10/29
Si Quantum Dot
Silicon Nitride Thin Film
Pecvd
Boron-doping
Argon Dilution
H-2-Ar dilution for improved c-Si quantum dots in P-doped SiNx:H thin film matrix
期刊论文
OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 396, 页码: 235-242
作者:
Liu, Jia
;
Zhang, Weijia
;
Liu, Shengzhong (Frank)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/06/20
C-si Quantum Dot
Sinx:h Thin Film
Phosphorus-doping
Pecvd
Effect of Sn doping on improvement of minority carrier lifetime of Fe contaminated p-type multi-crystalline Si ingot
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 458, 期号: 无, 页码: 66-71
作者:
Sun, Jifei
;
He, Qiuxiang
;
Ban, Boyuan
;
Bai, Xiaolong
;
Li, Jingwei
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2017/11/23
Minority Carrier Lifetime
Doping
Impurities
Directional Solidification
Multi-crystalline Si
磁控溅射制备氢化硅薄膜及其特性研究
学位论文
OAI收割
工学博士: 中国科学院大学, 2014
王林青
收藏
  |  
浏览/下载:226/0
  |  
提交时间:2014/11/25
氢化硅薄膜
磁控溅射
辅助离子束
磷掺杂
硼掺杂
Hydrogenated Si thin films
Magnetron sputtering
Assisted ion beam
P-doping
B-doping
Effects of Si doping on the strain relaxation of metamorphic (Al)GaInP buffers grown on GaAs substrates
期刊论文
OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 288, 期号: 0, 页码: 482-487
作者:
Yang, H(杨辉)
;
Zhao, YM(赵勇明)
;
Yu, SZ(于淑珍)
;
Dong, JR(董建荣)
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2014/01/13
Metamorphic buffer
Strain relaxation
Si doping
Dislocation multiplication
Phase separation
Influence of Si doping on the structural and optical properties of InGaN epilayers
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10
Lu, PY
;
Ma, ZG
;
Su, SC
;
Zhang, L
;
Chen, H
;
Jia, HQ
;
Jiang, Y
;
Qian, WN
;
Wang, G
;
Lu, TP
;
He, M
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2014/01/16
Si doping
InGaN
V-shaped defect