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Absolute calibration of LHAASO WFCTA camera based on LED
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2022, 卷号: 1021
作者:
Aharonian, F.
;
An, Q.
;
Axikegu
;
Bai, L.X.
;
Bai, Y.X.
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提交时间:2021/11/30
LHAASO-WFCTA
SiPM camera
Cylindrical illuminator
Calibration
Relative photon distribution
Photons to electronic signal
Experimental observation of enhanced plasma potential due to unabsorbed fast wave on EAST
期刊论文
OAI收割
Nuclear Fusion, 2019, 卷号: 59, 期号: 4, 页码: 1-4
作者:
Zhang,Xinjun
;
Liu,Lunan
;
Qin,Chengming
;
Lin,Y.
;
Ochoukov,R.
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提交时间:2020/05/21
plasma potential
fast wave
tokamak
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells
期刊论文
OAI收割
Optical Materials, 2018
作者:
Yang, J.
;
Liu, S.T.
;
Du, G.T.
;
Zhang, Y.T.
;
Li, M.
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提交时间:2019/03/27
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells
期刊论文
OAI收割
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
W. Liu
;
Y. Xing
;
L.Y. Peng
;
L.Q. Zhang
;
W.J. Wang
;
M. Li
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2019/11/19
Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer
期刊论文
OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 690-695
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
W. Liu
;
Y. Xing
;
L.Q. Zhang
;
W.J. Wang
;
M. Li
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2019/11/19
Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017
作者:
Liu, S.T.
;
Yang, J.
;
Zhao, D.G.
;
Jiang, D.S.
;
Liang, F.
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提交时间:2018/02/05
Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
Materials Technology, 2016
作者:
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhao, D.G.
;
Jiang, D.S.
;
Liu, Z.S.
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提交时间:2017/03/11
Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 97, 页码: 186-192
X. Li
;
D.G. Zhao
;
J. Yang
;
D.S. Jiang
;
Z.S. Liu
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X.J. Li
;
F. Liang
;
L.Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
H. Yang
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2017/03/10
Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC
期刊论文
OAI收割
chemical physics letters, 2016, 卷号: 651, 页码: 76-79
F. Liang
;
P. Chen
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
Z.S. Liu
;
J.J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X.J. Li
;
X. Li
;
S.T. Liu
;
H. Yang
;
L.Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2017/03/10
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2016, 卷号: 681, 页码: 522-526
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
J.P. Liu
;
L.Q. Zhang
;
H. Yang
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2017/03/10