机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• iSwitch采集 [11]

内容类型

• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2010 [3]
• 2009 [2]
• 2008 [2]
• 2007 [3]
• 1999 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Preparation and optical performance of freestanding gan thick films 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  Hu Qiang;  Wei Tongbo;  Duan Ruifei;  Yang Jiankun;  Huo Ziqiang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Freestanding thick films  Stress release  Photoluminescence   Mechanical and chemical bonding properties of ground state beh2 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal b, 2010, 卷号: 74, 期号: 3, 页码: 303-308 作者:  Wang, B. -T.;  Zhang, P.;  Shi, H. -L.;  Sun, B.;  Li, W. -D. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Hydride vapor phase epitaxy growth of semipolar, 10(1)over-bar(3)over-bargan on patterned m-plane sapphire 期刊论文  iSwitch采集 Journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: H721-h726 作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Yang, J. K. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Crystal orientation  Etching  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Photoluminescence  Red shift  Scanning electron microscopy  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor thin films  Vapour phase epitaxial growth  X-ray diffraction   Characterization of thick gan films directly grown on wet-etching patterned sapphire by hvpe 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 4 作者:  Hu Qiang;  Wei Tong-Bo;  Duan Rui-Fei;  Yang Jian-Kun;  Huo Zi-Qiang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar gan on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Hrxrd  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Semipolar   Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by hvpe 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Hillocks  Pits  Cathodoluminescence   Microstructure and optical properties of nonpolar m-plane gan films grown on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 作者:  Wei, Tongbo;  Duan, Ruifei;  Wang, Junxi;  Li, Jinmin;  Huo, Ziqiang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Hvpe  Gan  Sapphire  Nonpolar  Semipolar   Characterization of free-standing gan substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a tin interlayer 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Cathodoluminescence  Micro-raman scattering   Spatial variation of optical and structural properties of elo gan directly grown on patterned sapphire by hvpe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Columnar structures and stress relaxation in thick gan films grown on sapphire by hvpe 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 822-824 作者:  Wei Tong-Bo;  Ma Ping;  Duan Rui-Fei;  Wang Jun-Xi;  Li Jin-Min 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12