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半导体研究所 [21]
采集方式
OAI收割 [21]
内容类型
期刊论文 [17]
会议论文 [4]
发表日期
2009 [1]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体物理 [21]
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浏览/检索结果:
共21条,第1-10条
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存缴方式:oaiharvest
学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59
作者:
Zhang ML
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN heterostructure
Superlattices (SLs)
Root mean square roughness (RMS)
Sheet resistance
High-density and narrow size-distribution InAs quantum dots formed by a modified two-step growth
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 323-327
She-Song, H
;
Zhi-Chuan, N
;
Feng, Z
;
Hai-Qiao, N
;
Huan, Z
;
Dong-Hai, W
;
Zheng, S
收藏
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
quantum dots
a modified two-step growth
MOCVD growth of InN using a GaN buffer
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85
作者:
Yang H
;
Wang LL
;
Wang H
;
Yang H
;
Zhu JJ
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提交时间:2010/03/08
surface
1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz
期刊论文
OAI收割
solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
Wang XL
;
Cheng TS
;
Ma ZY
;
Hu G
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Luo WJ
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2010/03/29
AlGaN/GaN
1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
OAI收割
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
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浏览/下载:223/60
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提交时间:2010/03/29
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
NITROGEN
ORIGIN
DIODES
The compact microcrystalline Si thin film with structure uniformity in the growth direction by hydrogen dilution profile
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 9, 页码: art.no.093505
Gu J
;
Zhu MF
;
Wang LJ
;
Liu FZ
;
Zhou BQ
;
Zhou YQ
;
Ding K
;
Li GH
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浏览/下载:82/18
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提交时间:2010/03/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Silicon doping induced increment of quantum dot density
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318
作者:
Duan RF
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
MBE
silicon
doping
density
InGaAs/GaAs
SAOD
INGAAS
ISLANDS
GAAS
Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 20, 页码: 3769-3771
作者:
Xu B
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浏览/下载:88/3
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-POWER
LASER-DIODES
NM
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon
期刊论文
OAI收割
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305
Tan LW
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Lin LY
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
EPITAXIAL-GROWTH
AL2O3
SI
Deep levels in semi-insulating InP obtained by annealing under iron phosphide ambiance
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: 1968-1970
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
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浏览/下载:63/15
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提交时间:2010/08/12
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
UNDOPED INP
SPECTROSCOPY
WAFER
UNIFORMITY
PRESSURE
TRAPS